目录
一、 核心原理：GaN 图腾柱 PFC 的优势与控制策略
1. 拓扑与器件优势
2. 控制策略：单周期控制（OCC）
二、 Simulink 建模步骤（手把手）
Step 1：搭建 1MHz GaN 主功率级
Step 2：构建单周期控制（OCC）算法
Step 3：死区时间与 ZVS 保护设置
三、 仿真场景设置与结果解读
四、 避坑指南与工程设计建议
这是一份基于 Simulink 的基于 GaN 器件的 1MHz 高频图腾柱 PFC（Totem-Pole PFC）建模与仿真实战教程。
随着数字经济的爆发，5G基站和数据中心对电源的功率密度提出了极致要求。传统硅基（Si）PFC 受限于反向恢复损耗，开关频率通常被限制在 100kHz 以下。而氮化镓（GaN）器件凭借极小的寄生电容（$C_{oss}$）、无反向恢复电荷（$Q_{rr}=0$）的特性，使得 PFC 开关频率突破 500kHz 甚至达到 1MHz 成为可能。频率的提升不仅使磁性元件体积缩小 70% 以上，还能通过单周期控制（OCC）等先进算法实现接近 99% 的极高效率。本教程将带你剖析 1MHz GaN PFC 的底层逻辑，并在 Simulink 中搭建一套高保真仿真模型。
