一、MOS米勒平台
MOSFET 米勒平台产生的本质：Gate 与 Drain 之间存在寄生电容 Cgd。当 MOSFET 开通或关断过程中 Vds 快速变化时，Cgd 需要发生相应的电荷转移。由于栅极驱动器能够提供的输出/吸收电流有限，在这一阶段栅极电流主要用于 Cgd 对应的米勒电荷 Qgd 的转移，而不是继续显著改变 Vgs，因此 Vgs 会在一段时间内近似保持不变，形成米勒平台。
MOS 管的电容模型如下所示：MOS 有 G、S、D 三个引脚，它们存在以下三个电容：Cgs，Cgd，Cds。其中，输入电容 Ciss=Cgs+Cgd；输出电容 Coss=Cgd+Cds；米勒电容也就是反向传输电容 Crss=Cgd。需要注意，Cgd 并不是一个固定不变的电容，其大小会随 Vds 明显变化，因此实际分析 MOSFET 开关过程时，除了 Crss=Cgd 外，还需要结合栅极电荷曲线以及 Qgd 分析。
以下源于 TI 的技术文档“Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits”，其中对于米勒平台的讲解：
TI技术手册中建立了 Simplified Clamped Inductive Switching Model（简化钳位感性开关模型），并用 DC Current Source（直流恒流源）等效开关瞬间近似不变的电感电流。
TI Figure 3 的结构可以理解为 Boost 开关节点附近功率回路的简化模型。其中 IDC 是 TI 用来等效电感电流的理想恒流源，二极管的阳极接 SW 节点（NMOS 的漏极），阴极接 Vout。在几十 ns 的 MOS 开关瞬间，电感电流 IL 基本来不及发生明显变化，所以可以近似成恒流源。
假设 IDC=10A，并且 MOS 关断，Id=0，由 KCL，Idiode≈10A，二极管处于正向导通，二极管导通后会把 SW 节点钳在 Vout 附近，即 Vds≈Vout。所以最开始 Id=0，Idiode≈IDC，Vds≈Vout
对于TI Figure 4，①：NMOS 被打开，Vgs：0→Vgs(th)；Gate Driver 主要给 Cgs 充电，同时存在少量流经 Cgd 的电流。；Id≈0；由 KCL，Idiode≈IDC，Vds≈Vout
②：Vgs=Vgs(th) 后，NMOS 开始形成沟道，随着 Vgs↑，Id 逐渐增加：IDC=10A，比如一开始 10A=0A（Id）+10A（Idiode），随后 10A=2A（Id）+8A（Idiode），再后来 10A=6A（Id）+4A（Idiode），最后 10A=10A（Id）+0A（Idiode）。在整个阶段②，电感电流在这么短的时间内近似不变，对应 IDC=Id+Idiode
为什么在②中 Id 已经在增加，Vds 却没有下降？这是由于 diode，只要 Idiode>0，二极管导通就会把 SW 节点钳位在 Vout 附近，因此仍然 Vds≈Vout，这就是为什么 Id 增加≠Vds 马上下降，最开始增加的 Id，本质上只是在从 diode 那里“接管”负载电流。
③直到 Id=IDC，此时 Idiode=0。对应 Vgs 已经从 Vgs(th) 上升到 Vgs(Miller)，diode 不再把 SW 节点钳位在 Vout，故 Vds 开始快速下降。而 g、d 之间存在 Cgd，所以 Vd 要快速变化，就必须改变 Cgd 上的电荷状态，根据 Q=I*t，I=dQ/dt（也可以从局部微分关系 Ic=C*du/dt 理解，但由于 Cgd 不是固定值：Cgd=f（Vds），因此不能简单把一个固定的 Cgd 带入整个开关过程）所以这一阶段 Gate Driver 能够提供的栅极电流 Ig 被主要用于 Cgd 的电荷变化，从而实现 Vds 的快速下降，这一阶段 Gate Driver 仍然在输出栅极电流 Ig，但是此时提供的电荷主要用于 Cgd 的电荷转移去降低 Vds，而不是继续明显抬升 Vgs，于是在 fig4 中可以看到 Vgs≈Vgs(Miller)，与此同时 Vds 就在米勒平台期间快速下降
④当 Vds 基本下降完成后，米勒平台结束，此时 Gate Driver 继续提供栅极电荷，此时栅极电流重新在 Cgs 与 Cgd 之间分配，使 Vgs 从 Vgs(Miller) 继续升高至最终驱动电压。Gate Driver 继续给 Cgs 提供电荷使得 Vgs 增大，N 沟道进一步增强，以 fully enhance the conducting channel（使导电沟道完全增强），最终 Vgs 决定导通状态下的最终 Rds(on)。
关断过程基本可以看成开通过程的反向过程。由TI Figure 5，MOSFET 完全导通时，Vgs=VDRV，VDS≈Id*Rds(on)。①关断延迟阶段，Gate Driver 开始抽取栅极电荷，使 Vgs 从 VDRV 下降到 Vgs(Miller)。此时 Id 基本不变，随着过驱动电压减小，Vds 会略微升高。②关断米勒平台：此时 Vgs 近似保持在 Vgs(Miller)，而 Vds 从 Id*Rds(on) 上升，对应 Cgd 的电荷转移。直到 Vds 上升到输出电压附近，整流二极管重新正向导通并钳位漏极电压。③漏极电流下降阶段：二极管导通后为负载电流提供另一条路径，Vds 被钳位在 Vout 附近，Vgs 从 Vgs(Miller) 继续下降到 Vgs(th)，MOSFET 的 Id 从负载电流逐渐下降到接近 0。④完全关断阶段：Gate Driver 继续抽取剩余栅极电荷，使 Vgs 从 Vgs(th) 降到 0 V。此时 Id 已经接近 0，Vds 基本保持在 Vout，MOSFET 最终完全关断。
电荷、电流和电容之间的基本关系为 I=dQ/dt。当电流近似恒定时，可以得到ΔQ≈I*Δt；对于理想线性电容，可以写成ΔQ=C*ΔV。MOSFET 的 Cgd 是非线性电容，因此实际米勒阶段更适合使用 Qgd 描述对应的电荷转移。
米勒平台的持续时间近似为：tMiller≈Qgd/Ig,avg，其中 Ig,avg 为米勒阶段的栅极平均电流，因为真实 Gate Current（栅极电流）并不是严格恒定。
TI 还特别指出，真正影响开关速度的关键是栅极处于 Miller plateau voltage（米勒平台电压）附近时，驱动器实际能够提供的 Source/Sink Current（源/灌电流），而不仅仅是数据手册里宣传的最大峰值输出电流。
在相同的 Ig 的情况下，Qgd↑，米勒平台的持续时间越长；反过来，如果 Ig↑，米勒平台持续时间越短（例如 NCP81074 这类专用 MOSFET Gate Driver（栅极驱动器）可以提供较大的瞬态 Source/Sink Current（源/灌电流）以及较低的驱动输出阻抗，从而更快地完成 MOSFET 栅极电荷的注入和抽取。这类芯片的作用就是提升 Ig）。
所以，以后看 MOS 数据手册，除了关注 Crss=Cgd，还应该特别关注 Qgd，Qgd 用于估算实际米勒时间。
还有 Rg，这个是 MOS 栅极的串联电阻，Gate Driver→Rg→MOSFET Gate，Rg 大小将直接影响栅极电流 Ig 的大小，进而影响米勒平台持续时间
电荷 Q=C*V，对应恒定理想电容：Q=C*ΔV，表示要让一个电容的电压变化，就必须向它转移一定量的电荷。但是 MOS 的 Cgd 会随着 Vds 大幅变化，即 Cgd 不为固定常数，所以厂家给出一个更方便的参数 Qgd（栅漏电荷/米勒电荷），表示：在数据手册规定测试条件下，米勒阶段对应的栅漏电荷转移量。它不是与工作条件无关的固定常数，实际使用时需要注意数据手册中对应的 Vds、Id 等测试条件。
如下图的栅极电荷曲线：纵轴为 Vgs、横轴为 Qg（栅极电荷），在米勒平台这一段，Vgs≈不变，但横坐标 Qg 仍然继续增加，也就是说：虽然 Vgs 没怎么增加，但 Gate Driver（栅极驱动器）仍然不断向 Gate（栅极）输送电荷。这些电荷主要去了 Qgd，用于推动 Vds 变化，这一段平台期就是米勒平台
源自 CJAC80SN10
二、MOS三个工作区
源自CJAC80SN10
1.截止区：Vgs<Vgs(th)
此时 MOSFET 尚未建立足够的 N 型沟道，因此漏极电流很小，可以近似认为 MOSFET 截止。需要注意，数据手册中的 Vgs(th) 只是 MOSFET 刚刚开始导通的阈值，并不代表 MOSFET 已经充分打开。例如 TI 的 CSD19536KTT，Vgs(th) 为 2.1～3.2 V，但这是在 Id=250uA 的条件下测得的，而真正的 Rds(on) 是在 Vgs=6V 和 10 V 等条件下给出的，所以不能把 Vgs(th) 当成 MOSFET 的正常驱动电压。
2.可变电阻区：Vgs>Vgs(th)且 0<Vds< Vgs-Vgs(th)。此时 ds 之间已经形成连续的 N 型沟道，MOSFET 表现得类似一个由 Vgs 控制阻值的电阻。对于相同的较小 Vds，提高 Vgs 会增强 N 沟道，使 Id 增大，因此 MOS 等效导通电阻降低。
根据数据手册的“Id-Vds”曲线看，随着 Vds 增大并逐渐靠近饱和区边界，Id-Vds 曲线的斜率“ΔId/ΔVds” 会逐渐减小，对应的增量电阻“ΔVds/ΔId”增大。但这个增量电阻不能直接等同于数据手册中的 Rds(on)。Rds(on) 是 MOSFET 在指定 Vgs、Id 和温度条件下充分导通时的漏源导通电阻。
功率 MOSFET 作为开关使用时，希望最终工作在这个区域内的低 Vds、低 Rds(on) 状态。因此 Gate（栅极）需要得到足够的驱动电压，使沟道 fully enhanced（完全增强）。但 Vgs 并不是越高越好，而是应该根据数据手册给出的 Rds(on) 测试条件选择足够的栅极驱动电压，并保证不超过允许的栅源电压范围。
至于在 Vgs>Vgs(th) 后，什么时候进入可变电阻区？这就必须比较 Vds 和 Vgs-Vgs(th)。对于开关电源中的 MOS，开通过程通常不是截止区→可变电阻区，而更接近：截止区→饱和区→Vds 下降→可变电阻区→完全增强（其中“完全增强”不是第四个工作区，而是 MOSFET 已经得到足够栅极驱动、达到低 Rds(on) 状态的工程描述）
3.饱和区：Vgs>Vgs(th)且 Vds> Vgs-Vgs(th)，此时 Id 几乎不随着 Vds 的变化而变化，这是因为靠近漏极一端的N沟道夹断了，此时Vgs的增大可以使得Id增大。
