电路图来自bilbili【理工男孙老师】嘉立创开源项目，仅为记录学习笔记，侵权删。
目录
一：含义
二：整流滤波
三： RDC电路（吸收尖峰）
尖峰产生的原因：当主芯片内集成的mos管断开时，一次线圈绕组内会产生感应电动势，感应电动势会和Vbus（整流后的310VDC）串联，形成高压，高压容易将mos管击穿。
四：二次回路
一：含义
反激式：当一次变压侧电路闭合时，一次侧变压端充能，当开关断开时，绕组内铁芯磁通量变化，根据楞次定律（感应电流的磁场总是阻碍引起感应电流的磁通量变化，从而体现能量守恒原理。）二次侧绕组内产生感应电动势，在理想或空载条件下，电压比等于匝数比 N₁/N₂，从而得到目标电压。
正激式：当一次侧电路闭合，二次侧产生感应电动势。
二：整流滤波
元器件： F1（保险丝熔断器）起保护作用。
RV1(压敏电阻)，正常电压下：呈高阻状态，几乎不导电，不影响电路。过压出现时：阻值骤降至低阻，导通大电流，将电压钳位在安全范围。过压消失后：自动恢复高阻状态。
C17（电容）阻抗公式 f是电路频率，C是电容容量，市电的频率为50HZ，带入公式Xc=31.8kΩ。所以该电容可以通高频噪声，阻止低频市电通过，作用为滤除高频噪声。
整流桥：
当电压上正下负时电流流向
当上负下正时电流流向
电流流过整流桥可以得到的电压示意图（把负压转换为正压交流变直流）
C15（电容）的作用是“削峰填谷”即当峰顶时电容充电，谷底时电容放电，滤波后的示意图如下
L1 L3电感，并不确定是什么作用，目前猜测是滤除高频信号（电感通低阻高）
因此220V（有效值）电压经过整流滤波后达到约310V（峰值220*根号2）
三： RDC电路（吸收尖峰）
尖峰产生的原因：当主芯片内集成的mos管断开时，一次线圈绕组内会产生感应电动势，感应电动势会和Vbus（整流后的310VDC）串联，形成高压，高压容易将mos管击穿。
mos管闭合时也会产生尖峰，但不会和vbus串联危害较小
当mos管关闭时Vbus和感应电动势串联，二极管下方电压高于上方电压Vbus，又因为尖峰为高频，电流优先流经电容C13，给电容充电，当下方电压不足以使二极管导通时，电容由于充电下方电压高于Vbus，会形成电容电阻闭合回路，电阻消耗能量。
四：二次回路
二次回路中包括输出，和反馈回路，本项目中需要输出的是5V 2A。由于电压比等于匝数比，因此可以调整变压器的匝数来得到所需电压。
输出回路：输出回路中D3用来整流，防止电流倒灌，C7用来通高频噪声，而R18则用来配合C7负责消耗一部分电能提供保护。上文我们提到当一次侧闭合时一次绕组充能，断开时二次侧才能得到能量，因此C2为电解电容用来储存能量在一次侧充能时充当二次侧电源提供供电，我们知道，流经电感电流无法突变，因此当高频噪声电流流经L4时会被阻碍，从而经C4流出，而C14电解电容更靠近输出侧，因此C14负责稳定输出侧电压，同时一定程度的滤除噪声。C4为1uf电容，前面既然已经有这么多电容了为什么还要又C14呢？原因在于Xc=1/2ΠFC，C14用来滤除680uF无法滤除的较低频噪声。
反馈回路：反馈回路的核心是这颗TL431，TL431的工作原理我在另一篇文章https://blog.csdn.net/Maigami/article/details/166736801?spm=1001.2014.3001.5501中分析过了因此这里直接说结论：
当比较电压＞参考电压2.5V时，TL341会增大漏电流能力，导致流经LED电流变大，从而LED变量
当比较电压小于参考电压2.5V时，TL341内三极管截至，LED熄灭。
U3 TL341的参考电压是2.5V，R17 R15两颗电阻把5V平分成两个2.5V，所以Vref=VOUT/2=5/2=2.5.因此VOUT增大或者减小都会引起U4变亮或者变暗，从而使得反激芯片做出对PWM波占空比的调整。
我们已经知道R17 R15 是用来分压给U3内参考电压作比较的，那么R12 R14 R13 C5这些元器件又是什么作用呢？
R12很容易明白是限流电阻，那R14 的作用呢？
U3工作时需要一定的电流I总，I总=Iled+Ir14
而Ir14=Uled/R14，R14可以分流给U3提供最基础的电流，防止特殊情况下只有一条回路时二极管的电流太小影响U3的稳定性。
R13和C5：当U3频繁调节稳压时会产生高频噪声，电容C5正常情况下对直流相当于断路，而高频噪声则可以通过，所以起到滤波作用。而R13相当于高频噪声的限流电阻，防止产生大电流。
VCC供电回路，经过前文介绍，此处的VCC供电回路便不再介绍了，此处的元器件作用和二次回路几乎相同，同时芯片外围电路也不再介绍，因为该芯片手册应用实例给的很清楚了，这里便不再深究。
此文章为学习笔记，如有错误或补充恳请赐教，希望我们共同进步！
