IGBT（绝缘栅双极型晶体管）融合了三极管和MOS管的优点，电路图如下图所示，右侧为等效电路图
G（栅极）是IGBT的控制端。假如给控制端G一个高电压，则C（集电极）E（发射极）之间导通，这个高电压的范围一般是12~15V；假如给G一个低电压，则CE之间截止，这个低电压的范围一般是0~0.5V或者-5~-9V。
IGBT作用：①高压大功率开关功能—-用于几kW或者几MW的大功率场景
②能量转换功能
IGBT三种工作状态：截止状态、饱和导通状态、线性放大状态
①截止状态：Vge<Vge(th)导通电压，CE断开，不工作
②饱和导通状态：Vge≥Vge(th)导通电压，此时有个压降Vce=2V
③线性放大状态：IGBT处于线性放大状态时损耗严重，温度飙升，容易炸管，所以一般不用IGBT来进行放大
IGBT与MOS管一样，是一个电压控制电流的元器件，而三极管（BJT）是小电流控制大电流的器件
