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高低电平范围以及灌电流/拉电流/吸电流模型

1、常见信号逻辑电平参数

TTL_5V–>LVTTL_3V3–>LVTTL2V5

CMOS_5V–>LVCMOS_3V3–>LVCMOS_2V5–>LVCMOS_1V8–>LVCMOS_1V2

CMOS电平:IIC_5V–>IIC_3V3–>IIC_2V5–>IIC_1V8

CMOS电平:SPI_5V–>SPI_3V3–>SPI_2V5–>SPI_1V8

2、高低电平范围

 TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类:5V系列、3.3V系列、2.5V系列和1.8V系列,3.3V的TTL电平和CMOS电平通常称为LVTTL和LVCMOS;TTL、CMOS的电平标准如下:

  

3、灌电流/拉电流/吸电流模型

一块芯片,通过供电输入的电流,称之为“吸电流”

一块芯片,GPIO输出为低电平L时,芯片外围上拉电阻接电源,灌进去的电流,称之为“灌电流”

一块芯片,GPIO输出为高电平H时,芯片外围下拉电阻到GND,泄放出来的电流,称之为“拉电流”

4、芯片的扇出–描述集成电路带载能力

IOLMAX:GPIO引脚输出为低电平时的允许的灌电流最大值;  //过往芯片一般16mA/8mA/4mA

IILMAX:GPIO引脚输出为低电平时的外围单一支路灌入电流;

扇出=IOLMAX/IILMAX=最大允许灌电流/单一支路灌电流

一般规定,芯片扇出≥8;

因为有极大的灌电流,所以上拉电阻的阻值就有了限定范围;

如果阻值偏大,灌入电流小;

如果阻值偏小,灌入电流大;—此时注意信号的频率,信号幅度能否跟得上变化;

第一级GPIO输出低电平,外围多个芯片接入该GPIO,同时灌入电流,达到GPIO的最大灌电流,不可扇出过多,否则低电平幅度会被拉高,使得逻辑识别错误 或 发热烧坏GPIO的内部三极管;

第一级GPIO输出高电平,外接多个芯片,同时为各分支电路输入电流,达到GPIO的最大拉电流,不可扇出过多,否则高电平会被拉低;

 对于集成IC来说,矛盾的主要方面在低电平扇出系数,所以只要考虑低电平扇出系数。

如何理解这句话呢?有些云里雾里,拗口的很

TTL电平的芯片内部电路图

因为TTL电平标准:IIL 比 IIH 的扇出大很多,所以只需要考虑输入低电平IIL时的状态;

TTL 最典型的电气特性(关键定义(74/74LS 经典 TTL))

  • 后级IIL(输入低电平电流):输入为低电平 时,后级电流灌入前级芯片输入端(绝对值大)
  • 后级IIH(输入高电平电流):输入为高电平时,前级电流从芯片引脚输出到后级(因为后级发射级方向,输入的电流极小,所以扇出极大)

典型参数(74LS 系列)

参数典型值方向
IIL(输入低) -1.0 ~ -1.6 mA 后级芯片→前级 芯片(灌)
IIH(输入高) 20 ~ 40 µA 前芯片拉电流 →灌进后级芯片
IOL(输出低) 8 mA(可灌) 后级芯片→后后级 芯片(灌)
IOH(输出高) -0.4 mA(可拉) 后芯片拉电流→灌进后h后级芯片

扇出计算(N = 输出驱动能力 / 单门输入电流)

  • 低电平扇出(由 IIL 决定)N_OL = IOL / |IIL| ≈ 8mA / 1mA = 8
  • 高电平扇出(由 IIH 决定)N_OH = |IOH| / IIH ≈ 0.4mA / 0.02mA = 20(部分型号更小)

重点:

IIL 绝对值远大于 IIH【1mA–>0.02mA】

前级输出低电平驱动(灌电流)又远大于高电平(拉电流)【8mA–>0.4mA

N_OL远小于N)OH;

→ 最终表现: IIL 扇出能力 远小于 IIH扇出能力,IIL扇出能力成为两个扇出的最矮底板,所以只要看IIL的扇出能力即可

一句话解释

TTL 输入级是多发射极三极管,前级拉电流(IIH)给后级,会被后级IC的基极回路严重限制,极小;灌电流(IIL)通路很宽,很大。

5、案例:

1)两级 74LS 电路:就是「前级输出 → 后级输入」

我们只看最典型结构:U1(门 1)输出 → U2(门 2)一个输入

下面分 2 种输出状态,对应 U2 表现出 IIH 或 IIL。


2)状态 1:前级 U1 输出 = 高电平(VOH)

→ U2 输入 = 高电平(VIH)→ U2 此时表现出:IIH(输入高电平电流)

电流怎么流?

  • U1 输出高,内部三极管往上拉(向 VCC)
  • 电流路径:U1 输出 → U2 输入端 → 很小的漏电流流向地
  • 也就是:U1 要 “向外供一点点电” 给 U2

直观理解 IIH

  • IIH 是漏电流级别(µA 级)
  • 两级级联时:U1 几乎感觉不到负载
  • U1 高电平驱动能力(IOH ≈ -0.4 mA)远大于 IIH,完全无压力

一句话:前级输出高 → 后级只漏一点点电(IIH),几乎不算负载


3)状态 2:前级 U1 输出 = 低电平(VOL)

→ U2 输入 = 低电平(VIL)→ U2 此时表现出:IIL(输入低电平电流)

电流怎么流?(74LS 最核心、最容易懵的点)

  • U1 输出低,内部三极管导通到地
  • U2 输入级是多发射极三极管,正偏导通
  • 电流路径:VCC → U2 内部 → U2 输入端 → U1 输出 → GND

也就是:电流从后级输入端 “灌进去”,全部压在前级输出低的管子上

直观理解 IIL

  • IIL 是 mA 级(1 mA 每个输入)
  • 两级级联时:U1 输出低,必须 “吃掉” U2 灌进来的 1 mA
  • U1 低电平最大灌电流能力:IOL(MAX) ≈ 8 mA→ 所以 74LS 低电平扇出 ≈ 8(最多带 8 个 LS 输入)

一句话:前级输出低 → 后级往里猛灌电流(IIL),前级压力很大


4)把两级电路合在一起:终极理解版

当 U1 输出高

  • U2 输入高
  • U2 行为:IIH = 向外流 20µA
  • U1 负担:提供 20µA 拉电流 → 轻松

当 U1 输出低

  • U2 输入低
  • U2 行为:IIL = 向内灌 1mA
  • U1 负担:吸收 1mA 灌电流 → 这才是真正的负载

5)为什么说「IIL 远重要于 IIH」?(两级电路必考点)

在两级 / 多级级联里:

  • IIH 太小,几乎可以忽略

    • 20µA 对比输出能力可以当不存在
    • 高电平扇出极大,一般不考虑
  • IIL 很大,是系统瓶颈

    • 每个低电平输入都灌 1mA
    • 前级 VOL 会被 IIL 拉高(电压抬升)
    • 灌太多会导致:低电平不够低、逻辑错误、发热

  • 6)极简总结(适合写笔记 / 考试)

    在两级 74LS 级联中:

  • 后级输入 = 高 → 表现为 IIH

    • 电流:从后级输入端流出(拉电流)
    • 大小:µA 级,可忽略
    • 前级几乎无负担
  • 后级输入 = 低 → 表现为 IIL

    • 电流:向后级输入端流入(灌电流)
    • 大小:mA 级,很大
    • 前级输出低必须吸收这个电流,是主要负载
  • 74LS 真正限制扇出、影响电平、决定稳定性的,是 IIL,不是 IIH

    • IIL(低电平输入电流)大 → 导致【低电平扇出 小】
    • IIH(高电平输入电流)极小 → 导致【高电平扇出 大】

    所以正确表述是:74LS:IIL ≫ IIH,因此高电平扇出远大于低电平扇出。

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