一、产品整体概述
SA8545 是矽塔科技单通道全 NMOS‑H 桥直流电机驱动芯片，内置电荷泵，支持上管 100% 占空比输出；可实现电机正转、反转、停止、刹车，支持 PWM 调速。VM 推荐工作电压6‑45V，最大绝对耐压 50V；ESOP‑8 封装，标称持续 6.5A（25mm² FR4‑1oz 铜箔实测持续 4.5A），峰值 10‑12A；高低桥合计导通电阻典型90mΩ。INA、INB 同时拉低延时 1ms 自动进入休眠；集成 UVLO 欠压、硬件 OCP 过流、TSD 热关断，故障自动重试恢复；HBM 2kV ESD，工作结温‑40~150℃，面向机器人、工业高压直流电机设备。
二、五大核心差异化硬件优势
- 6‑45V 高压大电流、极低导通内阻 VM 工作 6‑45V，耐压 50V；典型 Rds (on)=90mΩ，发热低；适配 24V、36V 高压直流电机系统；ESOP‑8 带裸露 EPAD 散热焊盘，依靠 PCB 铜箔实现大电流输出。
- 标准双引脚逻辑，两套 PWM 调速模式 INA、INB 双引脚控制； ①模式 A：PWM + 低电平，导通‑滑行快衰减，依靠体二极管续流； ②模式 B：PWM + 高电平，导通‑刹车慢衰减，能量快速释放，调速精度更高； 内置110ns 硬件死区，彻底规避上下管直通烧毁。
- 自动休眠低功耗 INA、INB 全部置低维持 1ms 自动休眠，休眠电流典型 1.5μA；唤醒时输入高电平需要维持≥30μs；INA/INB 内置 100‑200kΩ 下拉，引脚悬空默认低电平，防止电机误启动。
- 全套内置保护，故障自动重试无需 MCU 干预 过流故障 3ms 自动重试；过温降温后自动恢复；不需要外部采样电阻即可实现硬件硬过流保护。
- ESOP‑8 封装，BOM 简洁 ESOP‑8 带散热焊盘；外围主要为 VM 电源电容；支持 GND 端外接检流电阻做外部电流采样。
三、完整内置安全保护机制
四、引脚功能定义（ESOP‑8）
1 脚 INA：逻辑输入 A，内置下拉； 2 脚 INB：逻辑输入 B，内置下拉； 3 脚 GND：功率地；可外接检流电阻； 4 脚 VM：功率电源输入，就近接≥10μF 高压电容； 5、6 脚 OUTB：H 桥输出 B，并联引出接电机一端； 7、8 脚 OUTA：H 桥输出 A，并联引出接电机另一端； EPAD：底部散热焊盘，必须接 GND，增加散热过孔。
逻辑真值表 | INA | INB | OUTA | OUTB | 工作状态 | |—|—|—|—|—| | L | L | Hi‑Z | Hi‑Z | 待命，1ms 后进入休眠 | | H | L | H | L | 正转 | | L | H | L | H | 反转 | | H | H | L | L | 刹车 |
五、外围元器件标准化选型规范
VM 电源电容 VM 对地≥10μF 高压 X5R/X7R 陶瓷电容，可搭配电解，紧靠 VM‑GND 引脚。
电机吸收电容 OUTA 与 OUTB 之间并联 0.1μF，吸收电机反电动势尖峰。
电机负载 直流有刷电机；PCB 散热良好条件下持续 4.5‑6.5A，峰值≤10A；高温环境必须降额。
逻辑输入 INA、INB 直接接 MCU GPIO；休眠唤醒高电平≥30μs。
PWM 信号 高精度调速优先模式 B；PWM 频率不宜过高，否则电机存在启动异常风险。
检流电阻（可选） 如需电流采样，串联在芯片 GND 与系统地之间；电源电容负极接芯片 GND。
六、PCB 布线硬性规范
七、主流应用场景
SA8545 用于 6‑45V 高压直流电机：智能机器人轮驱、工业小型执行机构、24V/36V 设备马达、大功率便携电动工具。
