EG3112 是屹晶微电子推出的600V 高压单相半桥驱动芯片，专门用于驱动 N 沟道 MOSFET 与 IGBT 功率管，采用 SOP‑8 小封装，依靠自举悬浮电源实现上桥臂高压驱动，内置闭锁与死区电路，国产高性价比，广泛替代进口半桥驱动，大量应用在电机、开关电源、D 类功放等功率变换场景。
一、核心特性
- 内部集成闭锁互锁电路：当 HIN、LIN 同时为高，HO、LO 同时输出低电平，强制关闭上下管，从逻辑层面杜绝上下桥直通烧毁功率器件。
- 内置硬件死区时间，典型死区100ns，范围 50‑300ns，不需要 MCU 软件额外加死区，简化软件开发。
二、引脚功能说明
| 1 | Vcc | 电源 | 芯片供电，2.8‑20V；就近并联 0.1μF 高频去耦电容抑制噪声 |
| 2 | HIN | 输入 | 高端逻辑输入，高电平有效，控制 HO 输出 |
| 3 | LIN | 输入 | 低端逻辑输入，高电平有效，控制 LO 输出 |
| 4 | GND | 地 | 芯片参考地 |
| 5 | LO | 输出 | 低端栅极驱动输出，接下管 MOS/IGBT 栅极 |
| 6 | VS | 信号 | 高端悬浮地，连接上下管中点 |
| 7 | HO | 输出 | 高端栅极驱动输出，接上管 MOS/IGBT 栅极 |
| 8 | VB | 电源 | 高端悬浮电源，自举二极管、自举电容接此引脚 |
三、内部架构与逻辑真值表
内部框图
芯片内部包含：输入缓冲、200k 下拉电阻、闭锁 + 死区控制模块、电平位移电路、脉冲滤波、高端 / 低端图腾柱输出驱动器。电平位移电路负责把 3.3V/5V 逻辑信号转换为悬浮 600V 域的驱动信号，脉冲滤波抑制输入尖峰干扰，避免误开关功率管。
逻辑真值表
| 0 | 0 | 0 | 0 | 上下管全部关断 |
| 0 | 1 | 0 | 1 | 下管导通，上管关断 |
| 1 | 0 | 1 | 0 | 上管导通，下管关断 |
| 1 | 1 | 0 | 0 | 互锁保护，上下管全部关断 |
重点：HIN 与 LIN 同时输出高电平，芯片自动关闭两路输出，硬件层面避免直通，这是该芯片重要安全特性，软件即使出错，也不会直接烧管。
开关时序参数（VCC=12V，负载电容 10nF，25℃）
| 开通延时 Ton | 典型 280ns，最大 400ns | 典型 250ns，最大 400ns |
| 关断延时 Toff | 典型 125ns，最大 300ns | 典型 180ns，最大 400ns |
| 上升时间 Tr | 典型 120ns | 典型 120ns |
| 下降时间 Tf | 典型 80ns | 典型 80ns |
| 内置死区 DT | 50~300ns，典型 100ns | ‑ |
四、自举电路工作原理（核心）
EG3112 上桥臂是悬浮电位，无法直接使用 VCC 供电，依靠自举二极管 + 自举电容实现悬浮供电：
设计要点
五、典型应用电路解析
六、应用场景
七、设计注意事项
八、芯片优缺点总结
优点：
- 国产芯片成本低，SOP‑8 体积小巧；
- 内置硬件互锁、内置死区，安全可靠性高；
- 2A/2.5A 驱动电流，驱动能力较强；
- 3.3V/5V 逻辑直连 MCU，外围器件少；
- 静态电流极低，电池设备友好。
局限：
- 自举驱动架构，上管不能持续 100% 占空比导通；
- 没有内置欠压锁定功能，VCC 跌落时不会自动保护输出；
- 开关延时几百纳秒，高频应用时需要评估时序影响。
