一、产品整体概述
EG1165 (S) 是屹晶微电子高压半桥 PWM 控制器（无内置功率 MOS，必须外接高低端 N‑MOS），SOP‑16 封装；分为两个子型号EG1165、EG1165S，VB 高端悬浮耐压最高600V；芯片 VCC 供电 10‑20V；内置振荡器、误差放大器、5V 基准源、软启动、互补半桥栅极驱动、逐周期限流、PWM 锁存（禁止多脉冲）；PWM 频率由 CP 引脚外接电容编程，频率范围20Hz‑500kHz；FB 引脚内部 1.2V 基准，配合外部分压实现闭环稳压；适合半桥变换器、大功率充电器、UPS、工业电源、大功率 LED 驱动、逆变器。
⚠️版本关键差异（UVLO 欠压阈值）
二、五大核心差异化硬件优势
- 最高 600V 半桥悬浮自举驱动，大电流栅极能力 VB 最高 600V 耐压；HO/LO 图腾柱驱动，拉电流 2A、灌电流 2.5A；内置最小 500ns 硬件死区，防止上下管直通；前沿消隐 LEB 典型 500ns，抑制开通尖峰误触发限流。
- CP 电容可编程宽范围 PWM 频率 20Hz‑500kHz 频率计算公式：\\(\\boldsymbol{f=(11.8×10^6)/C_p}\\)，Cp 单位 pF；Cp=100pF，频率约 59kHz；振荡器温漂、电压漂移小；最大占空比典型 47.5%（互补半桥固有限制）。
- 内置 REF5V 基准输出，10mA 带载能力 REF5V 输出 4.8‑5.0V，最大输出 10mA；可给外部分压、NTC 采样、运放供电，减少外部 LDO；REF5V 引脚就近接 1μF 旁路电容。
- 逐周期双路采样限流 + PWM 锁存（禁止多脉冲） SDHIN（高端）、SDLIN（低端）两路独立电流比较输入，限流阈值典型 180mV；\\(I_{PK}=180mV/R_{sense}\\)，高低端分别串联采样电阻；内置 PWM 锁存功能，故障之后禁止出现多重脉冲，提升短路可靠性。
- 完整系统配置引脚，适配大功率电源整机
三、内置安全保护与功能
⚠️重要提醒：芯片内部无集成功率 MOS，无芯片内置过温保护；MOS 管过温保护必须依靠外部 NTC + 外围电路；无 nFAULT 故障上报引脚，故障直接关断 PWM。
四、引脚功能定义（SOP‑16）
表格
| 1 | REF5V | O | 5V 基准输出，最大 10mA；对地就近接 1μF 陶瓷电容 |
| 2 | EN | I | 芯片使能，内部比较基准 1.2V；外接分压电阻自定义启停阈值，低于 1.2V 待机 |
| 3 | SD | I | PWM 逐周快速关断，高电平关闭 HO、LO 输出 |
| 4 | SS | I | 软启动，外接电容，电容越大软启动时间越长 |
| 5 | VSS | GND | 信号地 |
| 6 | CP | I | 振荡器定时电容引脚，设置 PWM 频率 |
| 7 | ERRO | O | 误差放大器输出，环路补偿网络接入点 |
| 8 | FB | I | 反馈输入，内部基准 1.2V，分压设置输出电压 |
| 9 | SDLIN | I | 低端 MOS 电流采样比较输入，180mV 阈值 |
| 10 | LO | O | 低端 MOS 栅极驱动输出 |
| 11 | COM | PGND | 功率地 |
| 12 | VCC | Power | 芯片低压供电 10‑20V；EG1165 版本对地≥22μF 储能电容，决定打嗝周期 |
| 13 | SDHIN | I | 高端 MOS 电流采样比较输入，180mV 阈值 |
| 14 | VS | O | 高端悬浮半桥中点 |
| 15 | VB | Power | 高端自举悬浮电源 |
| 16 | HO | O | 高端 MOS 栅极驱动输出 |
输出电压计算公式：\\(\\boldsymbol{V_{OUT}=(1+\\frac{R1}{R2})×1.2V}\\)；R1、R2 为 FB 引脚外部分压电阻。
五、外围元器件标准化选型规范
六、PCB 布线硬性规范
七、主流应用场景
电动车隔离转换器、大功率高频开关电源、UPS 电源、电动三轮车 / 摩托车充电器、工业电源、大功率 LED 驱动电源、逆变器电源、72V 大功率铅酸电池充电器。
