24 V → 48 V 升压变换器(Boost Converter)仿真报告
模型:BoostConverter.slx(MATLAB R2023b 自带 Simulink 示例,Hydro-Québec / MathWorks)
工况:Vin=24V_{in}=24Vin=24 V,D=0.5D=0.5D=0.5,fsw=20f_{sw}=20fsw=20 kHz,R=3 ΩR=3\\ \\OmegaR=3 Ω,L=250 μL=250\\ \\muL=250 μH,C=200 μC=200\\ \\muC=200 μF
仿真:VariableStepAuto 变步长,原 StopTime = 0.008 s;分析用 0.04 s(充分稳态)+ MaxStep = 1 µs
摘要
1 仿真对象与模型结构
1.1 示例来源与文件
| 示例目录 | Examples\\BoostConverterExample\\ |
| 模型文件 | BoostConverter.slx(51 591 字节,2025-06-25 23:26:23,未修改) |
| 说明脚本 | BoostConverterExample.m(24 行,只有文字说明与一句 open_system) |
| 版权 | Copyright 2016 Hydro-Québec, and The MathWorks, Inc. |
| 交付目录 | BoostConverter_仿真分析_261006\\ |
1.2 模型顶层结构
模型共 21 个顶层块、162 个块(含子系统内部)。顶层为:Vin (24V) 直流源 → RL 电感支路 → 开关节点 → Mosfet1(对地)/ Diode1(对输出)→ Series RLC Branch1 电容 ∥ Load 负载;D 常数块送给 PWM Generator (DC-DC),其输出接 Mosfet1 的门极;Voltage Measurement 与两个开关的测量输出经 Goto/From + Bus to Vector + Selector 送 Scope。

图 1-1 BoostConverter 模型顶层框图(Simulink 界面截图;模型自带的注释给出了 Vout=Vin/(1−D)V_{out}=V_{in}/(1-D)Vout=Vin/(1−D) 与 48 V 的预期值)
1.3 拓扑与原理
升压变换器在电感电流连续(CCM)时,理想电压传输比为 Vout/Vin=1/(1−D)V_{out}/V_{in}=1/(1-D)Vout/Vin=1/(1−D)。开关导通期间电感储能、负载由电容供电;开关关断期间电感经二极管向负载和电容释放能量。能量流向与本次仿真的实际元件参数见图 1-2。

图 1-2 升压变换器拓扑、器件参数与能量流向
1.4 元件参数
表 1-1 元件掩膜参数(运行时读取值)
| 直流源 | Vin (24V) / DC Voltage Source | Amplitude = 24 V,Measurements = None |
| 电感支路 | RL / Series RLC Branch | BranchType = RL,Resistance = 1e-3 Ω,Inductance = 250e-6 H |
| 输出电容 | Series RLC Branch1 / Series RLC Branch | BranchType = C,Capacitance = 200e-6 F,Setx0 = off(InitialVoltage = 40 不生效) |
| 负载 | Load / Series RLC Branch | BranchType = R,Resistance = 3 Ω |
| MOSFET | Mosfet1 / Mosfet | Ron = 1e-3 Ω,Rd = 1e-3 Ω(体二极管),Vfd = 0,Rs = Cs = inf(无缓冲) |
| 二极管 | Diode1 / Diode | Ron = 1e-3 Ω,Vf = 0,UseSnubber = off |
| 占空比 | D / Constant | Value = 0.5 |
| PWM | PWM Generator (DC-DC) | Fsw = 20e3 Hz,Ts = 0 |
| 电压测量 | Voltage Measurement | OutputType = Complex,PhasorSimulation = off |
PWM Generator (DC-DC) 内部(图 1-3):锯齿波经 0.5*(u(1)+1) 线性映射到 [0,1] 后与占空比比较,再与极性判别信号做 AND,输出 double 型门极信号。

图 1-3 PWM Generator (DC-DC) 子系统界面
Mosfet1 内部(图 1-4):理想开关 Ideal Switch + 反并联 Diode + 测量列表(Switch current / Switch voltage)。因此 Measurements = on 时输出的是两元素测量向量,模型用 Bus to Vector + Selector(1) 取第 1 个元素(电流)。

图 1-4 Mosfet1 子系统界面
1.5 仿真配置
表 1-2 仿真配置与两种配置的对照
| 求解器 | VariableStepAuto,变步长 | 同左 |
| 相对容差 | RelTol = 1e-4 | 同左 |
| 最大步长 | MaxStep = 1e-4 s(> Tsw=50 μT_{sw}=50\\ \\muTsw=50 μs) | MaxStep = 1e-6 s(Tsw/50T_{sw}/50Tsw/50) |
| 停止时间 | 0.008 s | 0.04 s |
| powergui | Continuous,SolverType = Tustin/Backward Euler (TBE),Interpol = off | 同左 |
| ReturnWorkspaceOutputs | on | 同左 |
| 记录点数 | 2 348 | 48 176 |
| 仿真耗时 | 0.72 s | 2.35 s |
| 末 20 个周期 VoutV_{out}Vout 时间加权均值 | 47.912237 V | 47.853039 V |
| 与含损耗解析式 47.872340 V 的偏差 | +0.083 % | -0.040 % |
三点结论:
1.6 信号链与一处需要注意的标签错误 ★
Scope 有 3 个输入端口,其信号来源与线名如下:
表 1-3 Scope 三路信号的来源核对
| 1 | Vout | Voltage Measurement | 输出电压 VoutV_{out}Vout |
| 2 | Ifet | Mosfet1 测量输出 → Bus to Vector → Selector1 | MOSFET 电流 iFETi_{FET}iFET |
| 3 | Is | Diode1 测量输出 → Bus to Vector1 → Selector | 二极管电流 iDi_DiD |
第 3 路的线名写作 Is(字面像是"source current / 电源电流"),但沿信号链回溯可见其 Goto 标签是 Id、驱动源是 Diode1——它实际是二极管电流。图 1-1 的界面截图中可以直接看到 [Id] 经 Bus to Vector 后接进 Scope 的第 3 路。
这一点对分析很关键:若把它当作电源电流,会得出"电源电流是脉冲"的错误结论。本报告一律按下表的物理量处理,并用两条独立的波形特征交叉验证(§2.3):iDi_DiD 只在门极为低时非零、iFETi_{FET}iFET 只在门极为高时非零,且二者严格互补、逐点相加等于电感电流。
2 启动与稳态波形
2.1 启动过程
电容从 0 V 起充(Setx0 = off),启动过程存在明显的 LC 欠阻尼振铃:
表 2-1 启动暂态指标
| VoutV_{out}Vout 峰值 | 62.6025 V(出现在 t=1.5000t = 1.5000t=1.5000 ms) |
| 超调量 | 30.8223 %(相对稳态 47.8530 V) |
| VoutV_{out}Vout 首次回落谷值 | 约 44.1 V(t≈3.07t \\approx 3.07t≈3.07 ms) |
| 进入并保持 ±2 % 带的时刻 | 4.7500 ms(= 95 个开关周期) |
| 电感电流峰值(启动段) | 52.5495 A |
| 电感电流稳态值 | 31.8938 A |

图 2-1 输出电压启动过程(0–40 ms)

图 2-2 电感电流启动过程(0–40 ms)
2.2 稳态开关周期
稳态下 VoutV_{out}Vout 在每个开关周期内先降后升:导通段电容独供负载、电压线性下降;关断段二极管向电容充电、电压先快后慢地上升。实测门极占空比 0.500000(与设定值偏差 0.0000 %),实测开关周期 50.000000 µs(与标称偏差 -0.0000 %)。

图 2-3 稳态输出电压与门极驱动(39.0–39.2 ms,含 4 个开关周期)
2.3 电感电流的开关分解
电感电流 iLi_LiL 在开关与二极管之间分配:iFET=iLi_{FET}=i_LiFET=iL(导通段)、iD=iLi_D=i_LiD=iL(关断段),二者互斥且逐点相加严格等于 iLi_LiL。
表 2-2 导通/关断期分离校核(剔除换向瞬间的"切换前状态"采样点 43 个,占 3.48 %)
| 导通期 iFETi_{FET}iFET 最大值 | 33.082287 A |
| 导通期 iDi_DiD 最大值 | 0.000000 A |
| 关断期 iDi_DiD 最大值 | 33.082287 A |
| 关断期 iFETi_{FET}iFET 最大值 | 0.000000 A |
| iL−(iFET+iD)i_L-(i_{FET}+i_D)iL−(iFET+iD) 的加权均值 | 0.000e+00 A |
口径提示:SPS 在换向瞬间会同时保存"切换前"和"切换后"两个状态点,因此不能直接用门极电平给每个采样点归类——否则会出现"关断期 iFET=33i_{FET}=33iFET=33 A"的假象(本报告初次计算即如此)。必须先剔除换向瞬间的那一个采样点再做分离。

图 2-4 电感电流在开关与二极管之间的分解(灰色宽带为 iLi_LiL,红、绿分别为 iFETi_{FET}iFET、iDi_DiD;注意三者纵坐标范围不同时也不重叠)
3 稳态指标与解析校核
3.1 电压传输比
稳态窗口取最后 21 个完整开关周期(38.95–40.00 ms)。含损耗时,升压变换器的 CCM 传输比为
Vout=VinD′+RL+DRon+D′RdR D′,D′=1−D
V_{out}=\\frac{V_{in}}{D'+\\dfrac{R_L+DR_{on}+D'R_d}{R\\,D'}},\\qquad D'=1-D
Vout=D′+RD′RL+DRon+D′RdVin,D′=1−D
表 3-1 电压传输比校核
| 理想 Vin/(1−D)V_{in}/(1-D)Vin/(1−D) | 48.000000 | -0.3062 % |
| 含损耗解析式 | 47.872340 | -0.0403 % |

图 3-1 输出电压随占空比变化的解析与实测对照
3.2 纹波
表 3-2 纹波校核
| 输出纹波 ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout | 1.993070 V | IoDTsw/CI_oDT_{sw}/CIoDTsw/C = 1.993877 V | -0.0405 % | 同左 | -0.0405 % |
| 电感电流纹波 ΔiL\\Delta i_LΔiL | 2.393623 A | VinDTsw/LV_{in}DT_{sw}/LVinDTsw/L = 2.400000 A | -0.2657 % | [Vin−iL(RL+Ron)]DTswL\\frac{[V_{in}-i_L(R_L+R_{on})]DT_{sw}}{L}L[Vin−iL(RL+Ron)]DTsw = 2.393621 A | +0.0001 % |
关键点:电感电流纹波的简单解析式把导通期的电感电压当成 VinV_{in}Vin,忽略了 iL(RL+Ron)i_L(R_L+R_{on})iL(RL+Ron) 的压降。本例 iL=31.89i_L = 31.89iL=31.89 A、RL+Ron=2R_L+R_{on}=2RL+Ron=2 mΩ,压降 0.064 V——按 -0.27 % 的偏差看似微不足道,但在 D=0.8D=0.8D=0.8、iL=196.6i_L=196.6iL=196.6 A 时压降达 0.393 V,简单式偏高 1.64 %(见 §4.2)。修正后的精确式与实测吻合到 0.0001 %。
逐周期峰峰值的离散度:ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout 为 0.0000 %,ΔiL\\Delta i_LΔiL 为 0.0000 %(21 个周期完全一致),说明稳态窗口确实已经完全收敛。
口径提示(踩过的坑):稳态窗口若未完全收敛(例如 R=20 ΩR=20\\ \\OmegaR=20 Ω 时 LC 振铃阻尼时间常数达 8 ms),直接取逐周期 max-min 会把慢漂算进纹波,实测使 R=20R=20R=20 的纹波偏大 1.2 %。正确做法是延长仿真时间直到振铃衰减(本例 R=20R=20R=20 与 C=1000 μC=1000\\ \\muC=1000 μF 都延长到 100 ms,偏差随即回到 0.03 % 以内)。
另需注意:不要用"周期内线性去趋势"来消除慢漂——升压电路一个周期内的波形本身就是纹波(导通段线性下降、关断段平方上升),去趋势会把真实纹波当慢漂剔掉,实测使基准纹波偏大 3.9 %。
3.3 效率与损耗
表 3-3 功率与损耗分解
| 输入功率 Pin=Vin⟨iL⟩P_{in} = V_{in}\\langle i_L\\ranglePin=Vin⟨iL⟩ | 765.450412 W |
| 输出功率 Pout=⟨Vout2⟩/RP_{out} = \\langle V_{out}^2\\rangle/RPout=⟨Vout2⟩/R | 763.415303 W |
| 电感串阻损耗 RL⟨iL2⟩R_L\\langle i_L^2\\rangleRL⟨iL2⟩ | 1.017692 W |
| MOSFET 通态损耗 Ron⟨iFET2⟩R_{on}\\langle i_{FET}^2\\rangleRon⟨iFET2⟩ | 0.508583 W |
| 二极管通态损耗 Rd⟨iD2⟩R_d\\langle i_D^2\\rangleRd⟨iD2⟩ | 0.509109 W |
| 损耗合计 | 2.035383 W |
| Pin−PoutP_{in}-P_{out}Pin−Pout | 2.035109 W(与损耗合计相差 -0.0003 W) |
| 效率 η=1−Eloss/Ein\\eta = 1-E_{loss}/E_{in}η=1−Eloss/Ein | 99.7341 % |
| 对照口径 Pout/PinP_{out}/P_{in}Pout/Pin | 99.7341 % |

图 3-2 三个损耗环节的功率对比(电感串阻最大,因为 iLi_LiL 是直流分量大的连续电流;开关与二极管各只承担半个周期的脉冲电流)

图 3-3 输入功率的去向(对数横轴)(输出 763.4 W、三个损耗项各约 0.5–1.0 W、储能漂移 1.3×10−71.3\\times10^{-7}1.3×10−7 W、数值残差 2.7×10−42.7\\times10^{-4}2.7×10−4 W)
3.4 守恒校核汇总
表 3-4 守恒关系校核(全部为独立于解析式的测量自检)
| 电感电流分解 | iL=iFET+iDi_L = i_{FET}+i_DiL=iFET+iD | 31.893767 A vs 31.893767 A | 0.000e+00 A |
| 二极管电流均值 vs 负载电流 | ⟨iD⟩=⟨Vout⟩/R\\langle i_D\\rangle = \\langle V_{out}\\rangle/R⟨iD⟩=⟨Vout⟩/R(电容电荷平衡) | 15.951010 A vs 15.951013 A | -0.0000 % |
| 开关电流均值 vs 占空比 | ⟨iFET⟩=D⟨iL⟩\\langle i_{FET}\\rangle = D\\langle i_L\\rangle⟨iFET⟩=D⟨iL⟩ | 15.942757 A vs 15.946884 A | -0.0259 % |
| 二极管送入功率 vs 输出功率 | ⟨VoutiD⟩=⟨Vout2⟩/R\\langle V_{out}i_D\\rangle = \\langle V_{out}^2\\rangle/R⟨VoutiD⟩=⟨Vout2⟩/R | 763.413685 W vs 763.415303 W | -0.0002 % |
| 窗口能量审计 | Ein=Eout+Eloss+ΔEstoredE_{in}=E_{out}+E_{loss}+\\Delta E_{stored}Ein=Eout+Eloss+ΔEstored | 0.803723 J vs 0.803723 J | -0.000036 % |
| 伏秒平衡 | ⟨vL⟩=0\\langle v_L\\rangle = 0⟨vL⟩=0 | +1.3×10−5+1.3\\times10^{-5}+1.3×10−5 V | +0.0001 % |
能量审计明细(窗口 38.95–40.00 ms,时长 1.05 ms):Ein=0.803723E_{in}=0.803723Ein=0.803723 J,Eout=0.801586E_{out}=0.801586Eout=0.801586 J,Eloss=0.002137E_{loss}=0.002137Eloss=0.002137 J,ΔEstored=0.000000\\Delta E_{stored}=0.000000ΔEstored=0.000000 J,残差 −0.000000-0.000000−0.000000 J。
为什么必须做能量审计而不是只比平均功率:本报告的初版直接比较 Pin−PoutP_{in}-P_{out}Pin−Pout 与器件损耗之和,得到 2.0351 W vs 2.0354 W 看似很好,但换成 8 ms 窗口时会出现 -18 % 的"缺口"。逐项拆开才发现那部分"缺口"完全来自 CCC/LLL 的储能变化(−ΔEstored/W-\\Delta E_{stored}/W−ΔEstored/W),而不是模型误差。只有当窗口内 CCC/LLL 储能净变化为 0 时,"平均功率差 = 损耗"才成立。
4 关键参数对比仿真
4.1 实验设计
以 §1.5 的「分析用配置」为基准(D=0.5D=0.5D=0.5、R=3 ΩR=3\\ \\OmegaR=3 Ω、L=250 μL=250\\ \\muL=250 μH、C=200 μC=200\\ \\muC=200 μF、fsw=20f_{sw}=20fsw=20 kHz),每次只改一个参数,共 19 个算例。统一规则:MaxStep = min(1 µs, Tsw/20);StopTime = 0.04 s——只有两个 LC 振铃阻尼特别慢的算例(R=20 ΩR=20\\ \\OmegaR=20 Ω、C=1000 μC=1000\\ \\muC=1000 μF)延长到 0.1 s,以保证纹波不含慢漂。
表 4-1 19 个算例的完整结果
| 基准 | base | 0.50 | 3 | 250 | 200 | 20 | CCM | 47.8530 | 1.99307 | 31.8938 | 2.39362 | 99.7341 |
| D | D0.20 | 0.20 | 3 | 250 | 200 | 20 | CCM | 29.9649 | 0.49916 | 12.4840 | 0.95900 | 99.8959 |
| D | D0.35 | 0.35 | 3 | 250 | 200 | 20 | CCM | 36.8544 | 1.07435 | 18.8956 | 1.67736 | 99.8424 |
| D | D0.65 | 0.65 | 3 | 250 | 200 | 20 | CCM | 68.1692 | 3.69158 | 64.9091 | 3.10313 | 99.4590 |
| D | D0.80 | 0.80 | 3 | 250 | 200 | 20 | CCM | 117.9777 | 7.86425 | 196.6088 | 3.77709 | 98.3615 |
| L | L5u | 0.50 | 3 | 5 | 200 | 20 | DCM | 59.6631 | 3.46158 | 49.7875 | 119.40200 | 99.3331 |
| L | L20u | 0.50 | 3 | 20 | 200 | 20 | CCM | 47.7100 | 1.98113 | 31.7097 | 29.92097 | 99.7160 |
| L | L100u | 0.50 | 3 | 100 | 200 | 20 | CCM | 47.8344 | 1.99152 | 31.8691 | 5.98408 | 99.7336 |
| L | L500u | 0.50 | 3 | 500 | 200 | 20 | CCM | 47.8592 | 1.99359 | 31.9020 | 1.19681 | 99.7341 |
| L | L1000u | 0.50 | 3 | 1000 | 200 | 20 | CCM | 47.8623 | 1.99385 | 31.9062 | 0.59840 | 99.7341 |
| R | R5 | 0.50 | 5 | 250 | 200 | 20 | CCM | 47.9084 | 1.19734 | 19.1584 | 2.39617 | 99.8401 |
| R | R10 | 0.50 | 10 | 250 | 200 | 20 | CCM | 47.9485 | 0.59919 | 9.5867 | 2.39810 | 99.9197 |
| R | R20 | 0.50 | 20 | 250 | 200 | 20 | CCM | 47.9682 | 0.29972 | 4.7956 | 2.39904 | 99.9592 |
| fsw | F10k | 0.50 | 3 | 250 | 200 | 10 | CCM | 47.7951 | 3.97647 | 31.8304 | 4.78728 | 99.7342 |
| fsw | F50k | 0.50 | 3 | 250 | 200 | 50 | CCM | 47.8693 | 0.79777 | 31.9115 | 0.95745 | 99.7341 |
| fsw | F100k | 0.50 | 3 | 250 | 200 | 100 | CCM | 47.8716 | 0.39892 | 31.9141 | 0.47872 | 99.7340 |
| C | C100u | 0.50 | 3 | 250 | 100 | 20 | CCM | 47.8200 | 3.98062 | 31.8634 | 2.39363 | 99.7343 |
| C | C470u | 0.50 | 3 | 250 | 470 | 20 | CCM | 47.8658 | 0.84857 | 31.9070 | 2.39362 | 99.7340 |
| C | C1000u | 0.50 | 3 | 250 | 1000 | 20 | CCM | 47.8696 | 0.39889 | 31.9114 | 2.39362 | 99.7339 |
4.2 占空比
DDD 是唯一改变输出电压的量级参数。实测传输比与理想值的比值随 DDD 单调下降,因为 DDD 越大时输入电流越大、电阻性压降占比越高。

图 4-1 实测输出电压相对理想值 Vin/(1−D)V_{in}/(1-D)Vin/(1−D) 的比值

图 4-2 占空比对效率的影响
表 4-2 占空比组关键派生量
| VoutV_{out}Vout 实测 /V | 29.9649 | 36.8544 | 47.8530 | 68.1692 | 117.9777 |
| VoutV_{out}Vout 含损耗解析 /V | 29.9688 | 36.8624 | 47.8723 | 68.2003 | 118.0328 |
| 偏差 | -0.013 % | -0.022 % | -0.040 % | -0.046 % | -0.047 % |
| ΔiL\\Delta i_LΔiL 实测 /A | 0.95900 | 1.67736 | 2.39362 | 3.10313 | 3.77709 |
| ΔiL\\Delta i_LΔiL 简单式 VinDTsw/LV_{in}DT_{sw}/LVinDTsw/L | 0.96000 | 1.68000 | 2.40000 | 3.12000 | 3.84000 |
| 简单式偏差 | -0.10 % | -0.16 % | -0.27 % | -0.54 % | -1.64 % |
| ⟨iL⟩\\langle i_L\\rangle⟨iL⟩ /A | 12.4840 | 18.8956 | 31.8938 | 64.9091 | 196.6088 |
含损耗解析式在全占空比范围内与实测吻合到 0.05 % 以内;而电感电流纹波的简单式在 D=0.8D=0.8D=0.8 时偏差达 -1.64 %,正是 §3.2 指出的 iL(RL+Ron)i_L(R_L+R_{on})iL(RL+Ron) 压降效应。
4.3 电感与 CCM/DCM 边界 ★
CCM/DCM 判据用 K=2LRTswK=\\dfrac{2L}{RT_{sw}}K=RTsw2L 与临界值 Kc=D(1−D)2K_c=D(1-D)^2Kc=D(1−D)2 比较。基准工况 K=3.333333K=3.333333K=3.333333、Kc=0.125000K_c=0.125000Kc=0.125000,远在 CCM 区;临界电感为
Lcrit=KcRTsw2=0.125×3×50×10−62=9.375 μH
L_{crit}=\\frac{K_c R T_{sw}}{2}=\\frac{0.125\\times3\\times50\\times10^{-6}}{2}=9.375\\ \\mu\\mathrm{H}
Lcrit=2KcRTsw=20.125×3×50×10−6=9.375 μH
因此 L=5 μL=5\\ \\muL=5 μH 落入 DCM、L=20 μL=20\\ \\muL=20 μH 仍在 CCM,与实测的模式判定完全一致。

图 4-3 电感量对输出电压的影响(5 µH 进入 DCM 后电压由 47.86 V 跳到 59.66 V;CCM 段与含损耗解析式重合)
DCM 解析验证:DCM 下升压变换器的传输比为 VoVin=1+1+4D2/K2\\dfrac{V_o}{V_{in}}=\\dfrac{1+\\sqrt{1+4D^2/K}}{2}VinVo=21+1+4D2/K。取 K=2L/(RTsw)=2×5×10−6/(3×50×10−6)=0.066667K=2L/(RT_{sw})=2\\times5\\times10^{-6}/(3\\times50\\times10^{-6})=0.066667K=2L/(RTsw)=2×5×10−6/(3×50×10−6)=0.066667、D=0.5D=0.5D=0.5:
VoVin=1+1+4×0.25/0.0666672=1+4.02=2.5 ⇒ Vo=60 V
\\frac{V_o}{V_{in}}=\\frac{1+\\sqrt{1+4\\times0.25/0.066667}}{2}=\\frac{1+4.0}{2}=2.5\\ \\Rightarrow\\ V_o=60\\ \\mathrm{V}
VinVo=21+1+4×0.25/0.066667=21+4.0=2.5 ⇒ Vo=60 V
实测 59.6631 V,偏差 -0.56 %(未计损耗,方向与 CCM 段一致——损耗使实际电压略低)。

图 4-4 电感电流纹波与电感量的关系(双对数)(ΔiL∝1/L\\Delta i_L\\propto 1/LΔiL∝1/L,六个点偏差 ≤0.50 %)
表 4-3 电感组
| 模式 | DCM | CCM | CCM | CCM | CCM | CCM |
| VoutV_{out}Vout /V | 59.6631 | 47.7100 | 47.8344 | 47.8530 | 47.8592 | 47.8623 |
| ΔiL\\Delta i_LΔiL 实测 /A | 119.40200 | 29.92097 | 5.98408 | 2.39362 | 1.19681 | 0.59840 |
| 2.4×250/L2.4\\times250/L2.4×250/L /A | 120.00000 | 30.00000 | 6.00000 | 2.40000 | 1.20000 | 0.60000 |
| 偏差 | -0.50 % | -0.26 % | -0.27 % | -0.27 % | -0.27 % | -0.27 % |
| ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout /V | 3.46158 | 1.98113 | 1.99152 | 1.99307 | 1.99359 | 1.99385 |
| η\\etaη /% | 99.3331 | 99.7160 | 99.7336 | 99.7341 | 99.7341 | 99.7341 |
两条结论:
4.4 负载电阻

图 4-5 负载电阻对输出纹波的影响
表 4-4 负载组
| VoutV_{out}Vout /V | 47.8530 | 47.9084 | 47.9485 | 47.9682 |
| ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout 实测 /V | 1.99307 | 1.19734 | 0.59919 | 0.29972 |
| ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout 解析 IoDTsw/CI_oDT_{sw}/CIoDTsw/C /V | 1.99388 | 1.19771 | 0.59936 | 0.29980 |
| 偏差 | -0.04 % | -0.03 % | -0.03 % | -0.03 % |
| ⟨iL⟩\\langle i_L\\rangle⟨iL⟩ /A | 31.8938 | 19.1584 | 9.5867 | 4.7956 |
| ΔiL\\Delta i_LΔiL /A | 2.39362 | 2.39617 | 2.39810 | 2.39904 |
| η\\etaη /% | 99.7341 | 99.8401 | 99.9197 | 99.9592 |
ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout 严格按 1/R1/R1/R 缩放(因为输出纹波与负载电流成正比),而 ΔiL\\Delta i_LΔiL 几乎与 RRR 无关(2.394→2.399 A,变化 0.23 %),因为 ΔiL\\Delta i_LΔiL 只由输入电压、占空比与电感决定。轻载时效率单调升高(99.73 %→99.96 %),因为损耗 ∝i2\\propto i^2∝i2 而输出功率 ∝i\\propto i∝i。
4.5 开关频率

图 4-6 开关频率对输出纹波的影响(双对数)
表 4-5 开关频率组
| ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout 实测 /V | 3.97647 | 1.99307 | 0.79777 | 0.39892 |
| ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout 解析 /V | 3.98293 | 1.99388 | 0.79782 | 0.39893 |
| 偏差 | -0.16 % | -0.04 % | -0.01 % | -0.00 % |
| ΔiL\\Delta i_LΔiL 实测 /A | 4.78728 | 2.39362 | 0.95745 | 0.47872 |
| ΔiL\\Delta i_LΔiL 解析 VinDTsw/LV_{in}DT_{sw}/LVinDTsw/L /A | 4.80000 | 2.40000 | 0.96000 | 0.48000 |
| 偏差 | -0.26 % | -0.27 % | -0.26 % | -0.26 % |
| η\\etaη /% | 99.7342 | 99.7341 | 99.7341 | 99.7340 |
电压与电流纹波都严格按 1/fsw1/f_{sw}1/fsw 缩放。效率几乎完全不变(99.734 %→99.734 %)——因为本模型的开关与二极管只有通态电阻、没有开关损耗模型,提高频率在仿真里"免费"。
这是该示例的重要局限:真实变换器的开关损耗随 fswf_{sw}fsw 线性上升,优化频率时必须计入。本模型无法用于开关频率的损耗优化,只能用于纹波-体积权衡。
4.6 输出电容

图 4-7 输出电容对输出纹波的影响(双对数)
表 4-6 电容组
| ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout 实测 /V | 3.98062 | 1.99307 | 0.84857 | 0.39889 |
| ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout 解析 IoDTsw/CI_oDT_{sw}/CIoDTsw/C /V | 3.98500 | 1.99388 | 0.84868 | 0.39891 |
| 偏差 | -0.11 % | -0.04 % | -0.01 % | -0.01 % |
| ΔiL\\Delta i_LΔiL /A | 2.39363 | 2.39362 | 2.39362 | 2.39362 |
| η\\etaη /% | 99.7343 | 99.7341 | 99.7340 | 99.7339 |
ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout 严格按 1/C1/C1/C 缩放,且与电感电流纹波完全解耦(ΔiL\\Delta i_LΔiL 在四个电容值下逐位相同)。
4.7 纹波标度律汇总
把三组参数(RRR、fswf_{sw}fsw、CCC)都归一化到基准值,输出纹波也归一化,三组点应全部落在同一条 1/x1/x1/x 曲线上:

图 4-8 输出纹波标度律的归一化验证
表 4-7 输出纹波标度律
| 占空比与开关周期 | ΔVout=IoDTsw/C\\Delta V_{out}=I_oDT_{sw}/CΔVout=IoDTsw/C(仅 DDD 变化时) | ≤0.05 % |
| 负载电阻 RRR | ΔVout∝1/R\\Delta V_{out}\\propto 1/RΔVout∝1/R | -0.03 % ~ -0.04 % |
| 开关频率 fswf_{sw}fsw | ΔVout∝1/fsw\\Delta V_{out}\\propto 1/f_{sw}ΔVout∝1/fsw | -0.00 % ~ -0.16 % |
| 输出电容 CCC | ΔVout∝1/C\\Delta V_{out}\\propto 1/CΔVout∝1/C | -0.01 % ~ -0.11 % |
| 电感 LLL | CCM 段几乎无关(1.981~1.994 V) | — |
工程含义:想减小输出纹波,最直接的手段是加大电容或提高开关频率(都是 1/x1/x1/x 关系),而加大电感只减小电流纹波、对输出纹波几乎无效;负载越轻输出纹波越小。
5 结论与模型局限
5.1 结论
5.2 模型局限(务必与结论一并引用)
| 无开关损耗 | 开关与二极管只有通态电阻 RonR_{on}Ron、RdR_dRd 与恒定压降 VfV_fVf,没有开关损耗模型 | 提高 fswf_{sw}fsw 在仿真里"免费"(效率恒为 99.734 %),不能用于开关频率的损耗优化 |
| 理想器件 | Vf=0V_f = 0Vf=0(二极管与 MOSFET 体二极管),无反向恢复、无结电容 | 效率偏高(99.73 %);真实 48 V/765 W 变换器通常低 0.5–2 个百分点 |
| 无寄生参数 | 无引线电感、无电容 ESR/ESL | 无法研究开关尖峰、EMI、驱动振荡 |
| 负载为纯电阻 | Load 的 BranchType = R | 无法评估恒功率负载下的负阻抗特性与稳定性 |
| 电容初值未设 | Series RLC Branch1 的 Setx0 = off,InitialVoltage = 40 被忽略 | 每次仿真都要经历 4.75 ms 的启动暂态;做稳态分析必须延长仿真时间 |
| 无闭环控制 | 占空比是常数块,PWM 直接由 DDD 生成 | 无电压调节、无负载/输入扰动抑制能力评估 |
5.3 对示例本身的两点更正
6 附:复现方法
6.1 文件组织
Examples\\BoostConverterExample\\
├── BoostConverter.slx 原始模型(只读,未修改;mtime 2025-06-25 23:26:23)
├── BoostConverterExample.m 原始说明脚本(只读)
└── BoostConverter_仿真分析_261006\\ 本次交付
├── BoostConverter仿真报告.md 本报告
├── BoostConverter_export.m 基准仿真与信号导出
├── BoostConverter_analyze.m 稳态指标、损耗分解与守恒校核
├── BoostConverter_sweep.m 关键参数对比仿真(19 算例)
├── BoostConverter_figs.m 数据图生成(一图一文件,无子图)
├── BoostConverter_shot.m 模型界面截图 + 原理框图(必须最后运行)
├── 图片\\ 19 张 PNG,均为 100 mm 宽 @300 dpi
└── 仿真数据\\ bc_base.mat / bc_metrics.mat / bc_orig.mat / bc_sweep.mat
6.2 复现步骤
依次运行(MATLAB R2023b,需 Simscape Electrical):
6.3 关键实现要点
① 取数与"隐藏信号"的恢复。模型只有 3 路示波器信号,电感电流需要用两个已有的测量量重构:
iL = Ifet + Id; % ★ 电感电流 = 开关电流 + 二极管电流(二者互斥,逐点相加)
门极驱动信号原本没有引出,可以临时挂一个 To Workspace 到 PWM 输出(在内存里改,不保存模型):
add_block('simulink/Sinks/To Workspace', [mdl '/BC_gate_TW'], …
'VariableName','g_gate', 'SaveFormat','Structure With Time', 'SampleTime','-1');
add_line(mdl, pwmOutportHandle, twInportHandle); % 用端口句柄,避免块名含换行
⚠ ReturnWorkspaceOutputs='on' 时 To Workspace 的数据进 SimulationOutput,不进 base:g_gate 在 base 里根本不存在,必须用 out.get('g_gate') 取。
② 时间栅格非均匀,平均值必须用 trapz 加权。SPS 会在换向瞬间产生零间隔重复点(本例 48 175 个区间中有 4 662 个重复区间,占 9.7 %),直接用 mean 会被"卡在开关瞬间"的样本带偏:
wmean = @(t, y) trapz(t, y) / (t(end) – t(1)); % ★ 时间加权,不能用 mean
实测教训:用 mean 报出的原配置 VoutV_{out}Vout 是 47.4374 V,用 trapz 是 47.9122 V——同一个数据,差 0.8 %。
③ 换向瞬间的"切换前状态"采样点必须剔除,否则 on/off 分离出错(§2.3):
same = [false; abs(diff(g)) < 0.5]; % 剔除紧跟在门极跳变后的那一个点
mON = g > 0.5 & same;
mOFF = g <= 0.5 & same;
④ 能量平衡必须在窗口内做实,不能只比平均功率:
Ein = trapz(t, Vin*iL);
Eout = trapz(t, v.^2/R);
Eloss = trapz(t, Rl*iL.^2 + Ron*iFET.^2 + Rd*iD.^2);
dEst = 0.5*C*(v(end)^2 – v(1)^2) + 0.5*L*(iL(end)^2 – iL(1)^2);
resid = Ein – Eout – Eloss – dEst; % 期望 ~0
⑤ 稳态窗口要等 LC 振铃衰减够。阻尼时间常数 τ=2L/(R)\\tau = 2L/(R)τ=2L/(R) 量级:R=3 ΩR=3\\ \\OmegaR=3 Ω 时约 1.2 ms(8 ms 足够),R=20 ΩR=20\\ \\OmegaR=20 Ω 时达 8 ms(需 100 ms),C=1000 μC=1000\\ \\muC=1000 μF 时达 6 ms(需 100 ms)。窗口不够会把振铃尾巴算进纹波与储能项。
⑥ 图表规范:100 mm 宽 @ 300 dpi,中文宋体、西文 Times New Roman,变量斜体、单位正体,图内不放标题,图题在下方、表题在上方;每张图都是独立 figure,不使用 subplot。
6.4 数值核实清单
| 原始 .slx mtime | 2025-06-25 23:26:23(运行前后一致,未写盘) |
| 模型 Dirty 状态 | off |
| 目录残留(.autosave / slprj / .slxc / 临时 To Workspace 块) | 无 |
| 字体分段审计 ml_audit_tx | [错] 0 / [疑] 0 / [微] 0 |
| 像素边距自检 | 19 张全部 OK |
| 报告数字来源 | 全部来自脚本控制台打印值,未凭记忆填写 |
