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24 V → 48 V 升压变换器(Boost Converter)仿真报告

24 V → 48 V 升压变换器(Boost Converter)仿真报告

模型:BoostConverter.slx(MATLAB R2023b 自带 Simulink 示例,Hydro-Québec / MathWorks)
工况:Vin=24V_{in}=24Vin​=24 V,D=0.5D=0.5D=0.5,fsw=20f_{sw}=20fsw​=20 kHz,R=3 ΩR=3\\ \\OmegaR=3 Ω,L=250 μL=250\\ \\muL=250 μH,C=200 μC=200\\ \\muC=200 μF
仿真:VariableStepAuto 变步长,原 StopTime = 0.008 s;分析用 0.04 s(充分稳态)+ MaxStep = 1 µs


摘要

  • 稳态输出电压 47.8530 V,与理想升压比 Vin/(1−D)=48V_{in}/(1-D)=48Vin​/(1−D)=48 V 相差 -0.3062 %;把器件损耗计入解析式后预测 47.8723 V,实测偏差仅 -0.0403 %。
  • 稳态 31.893767 A 的电感电流、2.393623 A(解析 2.400 A,-0.27 %)的电流纹波、1.993070 V(解析 1.993877 V,-0.041 %)的输出纹波;效率 99.7341 %。
  • 窗口能量审计闭合到 -0.000036 %(输入 0.803723 J,输出 0.801586 J,器件损耗 0.002137 J,C/L 储能变化 0.000000 J)。伏秒平衡残差 +0.000013+0.000013+0.000013 V(相对 VinV_{in}Vin​ 的 +0.0001 %)。这两个数字说明该模型的守恒关系成立到机器精度。
  • 启动过程有显著过冲:VoutV_{out}Vout​ 在 1.5000 ms 冲到 62.6025 V(超调 30.82 %),4.7500 ms(95 个开关周期)才进入并保持 ±2 % 带。
  • 单因素对比仿真(19 个算例)得到三条干净的标度律:ΔVout∝1/(RfswC)\\Delta V_{out}\\propto 1/(R f_{sw} C)ΔVout​∝1/(Rfsw​C)(偏差 ≤0.16 %)、ΔiL∝1/L\\Delta i_L\\propto 1/LΔiL​∝1/L(偏差 ≤0.50 %)、VoutV_{out}Vout​ 只在 LLL 越过临界值时才偏离 CCM 解。
  • 电感降到 5 µH 时进入 DCM,输出电压由 47.86 V 跳到 59.6631 V,与 DCM 解析式 VoVin=1+1+4D2/K2=2.5\\frac{V_o}{V_{in}}=\\frac{1+\\sqrt{1+4D^2/K}}{2}=2.5Vin​Vo​​=21+1+4D2/K​​=2.5 预测的 60 V 相差 -0.56 %——这是本报告最有说服力的一条机理验证。
  • 效率随占空比单调下降:D=0.2D=0.2D=0.2 时 99.8959 %,D=0.8D=0.8D=0.8 时降到 98.3615 %(输入电流达 196.6 A,电感串阻损耗占主导)。
  • 发现原模型一处标签错误:Scope 第 3 路线的线名写作 Is,但其信号源是 Diode1 的测量输出,实际是二极管电流 iDi_DiD​ 而非电源电流。详见 §1.6。

  • 1 仿真对象与模型结构

    1.1 示例来源与文件

    项内容
    示例目录 Examples\\BoostConverterExample\\
    模型文件 BoostConverter.slx(51 591 字节,2025-06-25 23:26:23,未修改)
    说明脚本 BoostConverterExample.m(24 行,只有文字说明与一句 open_system)
    版权 Copyright 2016 Hydro-Québec, and The MathWorks, Inc.
    交付目录 BoostConverter_仿真分析_261006\\

    1.2 模型顶层结构

    模型共 21 个顶层块、162 个块(含子系统内部)。顶层为:Vin (24V) 直流源 → RL 电感支路 → 开关节点 → Mosfet1(对地)/ Diode1(对输出)→ Series RLC Branch1 电容 ∥ Load 负载;D 常数块送给 PWM Generator (DC-DC),其输出接 Mosfet1 的门极;Voltage Measurement 与两个开关的测量输出经 Goto/From + Bus to Vector + Selector 送 Scope。

    图1-1 模型顶层

    图 1-1 BoostConverter 模型顶层框图(Simulink 界面截图;模型自带的注释给出了 Vout=Vin/(1−D)V_{out}=V_{in}/(1-D)Vout​=Vin​/(1−D) 与 48 V 的预期值)

    1.3 拓扑与原理

    升压变换器在电感电流连续(CCM)时,理想电压传输比为 Vout/Vin=1/(1−D)V_{out}/V_{in}=1/(1-D)Vout​/Vin​=1/(1−D)。开关导通期间电感储能、负载由电容供电;开关关断期间电感经二极管向负载和电容释放能量。能量流向与本次仿真的实际元件参数见图 1-2。

    图1-2 原理框图

    图 1-2 升压变换器拓扑、器件参数与能量流向

    1.4 元件参数

    表 1-1 元件掩膜参数(运行时读取值)

    元件块名 / 掩膜参数
    直流源 Vin (24V) / DC Voltage Source Amplitude = 24 V,Measurements = None
    电感支路 RL / Series RLC Branch BranchType = RL,Resistance = 1e-3 Ω,Inductance = 250e-6 H
    输出电容 Series RLC Branch1 / Series RLC Branch BranchType = C,Capacitance = 200e-6 F,Setx0 = off(InitialVoltage = 40 不生效)
    负载 Load / Series RLC Branch BranchType = R,Resistance = 3 Ω
    MOSFET Mosfet1 / Mosfet Ron = 1e-3 Ω,Rd = 1e-3 Ω(体二极管),Vfd = 0,Rs = Cs = inf(无缓冲)
    二极管 Diode1 / Diode Ron = 1e-3 Ω,Vf = 0,UseSnubber = off
    占空比 D / Constant Value = 0.5
    PWM PWM Generator (DC-DC) Fsw = 20e3 Hz,Ts = 0
    电压测量 Voltage Measurement OutputType = Complex,PhasorSimulation = off

    PWM Generator (DC-DC) 内部(图 1-3):锯齿波经 0.5*(u(1)+1) 线性映射到 [0,1] 后与占空比比较,再与极性判别信号做 AND,输出 double 型门极信号。

    图1-3 PWM 发生器内部

    图 1-3 PWM Generator (DC-DC) 子系统界面

    Mosfet1 内部(图 1-4):理想开关 Ideal Switch + 反并联 Diode + 测量列表(Switch current / Switch voltage)。因此 Measurements = on 时输出的是两元素测量向量,模型用 Bus to Vector + Selector(1) 取第 1 个元素(电流)。

    图1-4 MOSFET 子系统内部

    图 1-4 Mosfet1 子系统界面

    1.5 仿真配置

    表 1-2 仿真配置与两种配置的对照

    项原配置(示例原样)分析用配置
    求解器 VariableStepAuto,变步长 同左
    相对容差 RelTol = 1e-4 同左
    最大步长 MaxStep = 1e-4 s(> Tsw=50 μT_{sw}=50\\ \\muTsw​=50 μs) MaxStep = 1e-6 s(Tsw/50T_{sw}/50Tsw​/50)
    停止时间 0.008 s 0.04 s
    powergui Continuous,SolverType = Tustin/Backward Euler (TBE),Interpol = off 同左
    ReturnWorkspaceOutputs on 同左
    记录点数 2 348 48 176
    仿真耗时 0.72 s 2.35 s
    末 20 个周期 VoutV_{out}Vout​ 时间加权均值 47.912237 V 47.853039 V
    与含损耗解析式 47.872340 V 的偏差 +0.083 % -0.040 %

    三点结论:

  • 原配置的 MaxStep 大于开关周期,但 SPS 会在开关事件处强制插入求解点,所以仍能捕捉开关动作——实测原配置的稳态均值只与分析配置差 0.12 %,官方示例的默认设置是可信的。
  • 延长停止时间的影响比细化步长更大:把 MaxStep 保持 1e-4 而把 StopTime 从 8 ms 延到 40 ms,VoutV_{out}Vout​ 由 47.912237 V 变到 47.855966 V(-0.12 %)。原因是 LC 振铃(R=3 ΩR=3\\ \\OmegaR=3 Ω 时阻尼时间常数约 1.2 ms)在 8 ms 时尚未完全衰减,CCC 还在缓慢充电。
  • 因此本报告全部采用「分析用配置」:MaxStep = 1 µs、StopTime = 0.04 s。
  • 1.6 信号链与一处需要注意的标签错误 ★

    Scope 有 3 个输入端口,其信号来源与线名如下:

    表 1-3 Scope 三路信号的来源核对

    端口线名(模型里写的)实际来源块真实物理量
    1 Vout Voltage Measurement 输出电压 VoutV_{out}Vout​
    2 Ifet Mosfet1 测量输出 → Bus to Vector → Selector1 MOSFET 电流 iFETi_{FET}iFET​
    3 Is Diode1 测量输出 → Bus to Vector1 → Selector 二极管电流 iDi_DiD​

    第 3 路的线名写作 Is(字面像是"source current / 电源电流"),但沿信号链回溯可见其 Goto 标签是 Id、驱动源是 Diode1——它实际是二极管电流。图 1-1 的界面截图中可以直接看到 [Id] 经 Bus to Vector 后接进 Scope 的第 3 路。

    这一点对分析很关键:若把它当作电源电流,会得出"电源电流是脉冲"的错误结论。本报告一律按下表的物理量处理,并用两条独立的波形特征交叉验证(§2.3):iDi_DiD​ 只在门极为低时非零、iFETi_{FET}iFET​ 只在门极为高时非零,且二者严格互补、逐点相加等于电感电流。


    2 启动与稳态波形

    2.1 启动过程

    电容从 0 V 起充(Setx0 = off),启动过程存在明显的 LC 欠阻尼振铃:

    表 2-1 启动暂态指标

    量值
    VoutV_{out}Vout​ 峰值 62.6025 V(出现在 t=1.5000t = 1.5000t=1.5000 ms)
    超调量 30.8223 %(相对稳态 47.8530 V)
    VoutV_{out}Vout​ 首次回落谷值 约 44.1 V(t≈3.07t \\approx 3.07t≈3.07 ms)
    进入并保持 ±2 % 带的时刻 4.7500 ms(= 95 个开关周期)
    电感电流峰值(启动段) 52.5495 A
    电感电流稳态值 31.8938 A

    图2-1 输出电压启动过程

    图 2-1 输出电压启动过程(0–40 ms)

    图2-2 电感电流启动过程

    图 2-2 电感电流启动过程(0–40 ms)

    2.2 稳态开关周期

    稳态下 VoutV_{out}Vout​ 在每个开关周期内先降后升:导通段电容独供负载、电压线性下降;关断段二极管向电容充电、电压先快后慢地上升。实测门极占空比 0.500000(与设定值偏差 0.0000 %),实测开关周期 50.000000 µs(与标称偏差 -0.0000 %)。

    图2-3 稳态输出电压与门极

    图 2-3 稳态输出电压与门极驱动(39.0–39.2 ms,含 4 个开关周期)

    2.3 电感电流的开关分解

    电感电流 iLi_LiL​ 在开关与二极管之间分配:iFET=iLi_{FET}=i_LiFET​=iL​(导通段)、iD=iLi_D=i_LiD​=iL​(关断段),二者互斥且逐点相加严格等于 iLi_LiL​。

    表 2-2 导通/关断期分离校核(剔除换向瞬间的"切换前状态"采样点 43 个,占 3.48 %)

    检查项结果
    导通期 iFETi_{FET}iFET​ 最大值 33.082287 A
    导通期 iDi_DiD​ 最大值 0.000000 A
    关断期 iDi_DiD​ 最大值 33.082287 A
    关断期 iFETi_{FET}iFET​ 最大值 0.000000 A
    iL−(iFET+iD)i_L-(i_{FET}+i_D)iL​−(iFET​+iD​) 的加权均值 0.000e+00 A

    口径提示:SPS 在换向瞬间会同时保存"切换前"和"切换后"两个状态点,因此不能直接用门极电平给每个采样点归类——否则会出现"关断期 iFET=33i_{FET}=33iFET​=33 A"的假象(本报告初次计算即如此)。必须先剔除换向瞬间的那一个采样点再做分离。

    图2-4 电感电流的开关分解

    图 2-4 电感电流在开关与二极管之间的分解(灰色宽带为 iLi_LiL​,红、绿分别为 iFETi_{FET}iFET​、iDi_DiD​;注意三者纵坐标范围不同时也不重叠)


    3 稳态指标与解析校核

    3.1 电压传输比

    稳态窗口取最后 21 个完整开关周期(38.95–40.00 ms)。含损耗时,升压变换器的 CCM 传输比为

    Vout=VinD′+RL+DRon+D′RdR D′,D′=1−D
    V_{out}=\\frac{V_{in}}{D'+\\dfrac{R_L+DR_{on}+D'R_d}{R\\,D'}},\\qquad D'=1-D
    Vout​=D′+RD′RL​+DRon​+D′Rd​​Vin​​,D′=1−D

    表 3-1 电压传输比校核

    口径数值 / V与实测 47.853039 V 的偏差
    理想 Vin/(1−D)V_{in}/(1-D)Vin​/(1−D) 48.000000 -0.3062 %
    含损耗解析式 47.872340 -0.0403 %

    图3-1 电压传输比校核

    图 3-1 输出电压随占空比变化的解析与实测对照

    3.2 纹波

    表 3-2 纹波校核

    量实测简单解析式偏差含损耗精确式 ★偏差
    输出纹波 ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ 1.993070 V IoDTsw/CI_oDT_{sw}/CIo​DTsw​/C = 1.993877 V -0.0405 % 同左 -0.0405 %
    电感电流纹波 ΔiL\\Delta i_LΔiL​ 2.393623 A VinDTsw/LV_{in}DT_{sw}/LVin​DTsw​/L = 2.400000 A -0.2657 % [Vin−iL(RL+Ron)]DTswL\\frac{[V_{in}-i_L(R_L+R_{on})]DT_{sw}}{L}L[Vin​−iL​(RL​+Ron​)]DTsw​​ = 2.393621 A +0.0001 %

    关键点:电感电流纹波的简单解析式把导通期的电感电压当成 VinV_{in}Vin​,忽略了 iL(RL+Ron)i_L(R_L+R_{on})iL​(RL​+Ron​) 的压降。本例 iL=31.89i_L = 31.89iL​=31.89 A、RL+Ron=2R_L+R_{on}=2RL​+Ron​=2 mΩ,压降 0.064 V——按 -0.27 % 的偏差看似微不足道,但在 D=0.8D=0.8D=0.8、iL=196.6i_L=196.6iL​=196.6 A 时压降达 0.393 V,简单式偏高 1.64 %(见 §4.2)。修正后的精确式与实测吻合到 0.0001 %。

    逐周期峰峰值的离散度:ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ 为 0.0000 %,ΔiL\\Delta i_LΔiL​ 为 0.0000 %(21 个周期完全一致),说明稳态窗口确实已经完全收敛。

    口径提示(踩过的坑):稳态窗口若未完全收敛(例如 R=20 ΩR=20\\ \\OmegaR=20 Ω 时 LC 振铃阻尼时间常数达 8 ms),直接取逐周期 max-min 会把慢漂算进纹波,实测使 R=20R=20R=20 的纹波偏大 1.2 %。正确做法是延长仿真时间直到振铃衰减(本例 R=20R=20R=20 与 C=1000 μC=1000\\ \\muC=1000 μF 都延长到 100 ms,偏差随即回到 0.03 % 以内)。
    另需注意:不要用"周期内线性去趋势"来消除慢漂——升压电路一个周期内的波形本身就是纹波(导通段线性下降、关断段平方上升),去趋势会把真实纹波当慢漂剔掉,实测使基准纹波偏大 3.9 %。

    3.3 效率与损耗

    表 3-3 功率与损耗分解

    项数值
    输入功率 Pin=Vin⟨iL⟩P_{in} = V_{in}\\langle i_L\\ranglePin​=Vin​⟨iL​⟩ 765.450412 W
    输出功率 Pout=⟨Vout2⟩/RP_{out} = \\langle V_{out}^2\\rangle/RPout​=⟨Vout2​⟩/R 763.415303 W
    电感串阻损耗 RL⟨iL2⟩R_L\\langle i_L^2\\rangleRL​⟨iL2​⟩ 1.017692 W
    MOSFET 通态损耗 Ron⟨iFET2⟩R_{on}\\langle i_{FET}^2\\rangleRon​⟨iFET2​⟩ 0.508583 W
    二极管通态损耗 Rd⟨iD2⟩R_d\\langle i_D^2\\rangleRd​⟨iD2​⟩ 0.509109 W
    损耗合计 2.035383 W
    Pin−PoutP_{in}-P_{out}Pin​−Pout​ 2.035109 W(与损耗合计相差 -0.0003 W)
    效率 η=1−Eloss/Ein\\eta = 1-E_{loss}/E_{in}η=1−Eloss​/Ein​ 99.7341 %
    对照口径 Pout/PinP_{out}/P_{in}Pout​/Pin​ 99.7341 %

    图3-2 器件损耗分解

    图 3-2 三个损耗环节的功率对比(电感串阻最大,因为 iLi_LiL​ 是直流分量大的连续电流;开关与二极管各只承担半个周期的脉冲电流)

    图3-3 输入功率去向

    图 3-3 输入功率的去向(对数横轴)(输出 763.4 W、三个损耗项各约 0.5–1.0 W、储能漂移 1.3×10−71.3\\times10^{-7}1.3×10−7 W、数值残差 2.7×10−42.7\\times10^{-4}2.7×10−4 W)

    3.4 守恒校核汇总

    表 3-4 守恒关系校核(全部为独立于解析式的测量自检)

    校核关系式实测值(左 = 右)相对偏差
    电感电流分解 iL=iFET+iDi_L = i_{FET}+i_DiL​=iFET​+iD​ 31.893767 A vs 31.893767 A 0.000e+00 A
    二极管电流均值 vs 负载电流 ⟨iD⟩=⟨Vout⟩/R\\langle i_D\\rangle = \\langle V_{out}\\rangle/R⟨iD​⟩=⟨Vout​⟩/R(电容电荷平衡) 15.951010 A vs 15.951013 A -0.0000 %
    开关电流均值 vs 占空比 ⟨iFET⟩=D⟨iL⟩\\langle i_{FET}\\rangle = D\\langle i_L\\rangle⟨iFET​⟩=D⟨iL​⟩ 15.942757 A vs 15.946884 A -0.0259 %
    二极管送入功率 vs 输出功率 ⟨VoutiD⟩=⟨Vout2⟩/R\\langle V_{out}i_D\\rangle = \\langle V_{out}^2\\rangle/R⟨Vout​iD​⟩=⟨Vout2​⟩/R 763.413685 W vs 763.415303 W -0.0002 %
    窗口能量审计 Ein=Eout+Eloss+ΔEstoredE_{in}=E_{out}+E_{loss}+\\Delta E_{stored}Ein​=Eout​+Eloss​+ΔEstored​ 0.803723 J vs 0.803723 J -0.000036 %
    伏秒平衡 ⟨vL⟩=0\\langle v_L\\rangle = 0⟨vL​⟩=0 +1.3×10−5+1.3\\times10^{-5}+1.3×10−5 V +0.0001 %

    能量审计明细(窗口 38.95–40.00 ms,时长 1.05 ms):Ein=0.803723E_{in}=0.803723Ein​=0.803723 J,Eout=0.801586E_{out}=0.801586Eout​=0.801586 J,Eloss=0.002137E_{loss}=0.002137Eloss​=0.002137 J,ΔEstored=0.000000\\Delta E_{stored}=0.000000ΔEstored​=0.000000 J,残差 −0.000000-0.000000−0.000000 J。

    为什么必须做能量审计而不是只比平均功率:本报告的初版直接比较 Pin−PoutP_{in}-P_{out}Pin​−Pout​ 与器件损耗之和,得到 2.0351 W vs 2.0354 W 看似很好,但换成 8 ms 窗口时会出现 -18 % 的"缺口"。逐项拆开才发现那部分"缺口"完全来自 CCC/LLL 的储能变化(−ΔEstored/W-\\Delta E_{stored}/W−ΔEstored​/W),而不是模型误差。只有当窗口内 CCC/LLL 储能净变化为 0 时,"平均功率差 = 损耗"才成立。


    4 关键参数对比仿真

    4.1 实验设计

    以 §1.5 的「分析用配置」为基准(D=0.5D=0.5D=0.5、R=3 ΩR=3\\ \\OmegaR=3 Ω、L=250 μL=250\\ \\muL=250 μH、C=200 μC=200\\ \\muC=200 μF、fsw=20f_{sw}=20fsw​=20 kHz),每次只改一个参数,共 19 个算例。统一规则:MaxStep = min(1 µs, Tsw/20);StopTime = 0.04 s——只有两个 LC 振铃阻尼特别慢的算例(R=20 ΩR=20\\ \\OmegaR=20 Ω、C=1000 μC=1000\\ \\muC=1000 μF)延长到 0.1 s,以保证纹波不含慢漂。

    表 4-1 19 个算例的完整结果

    组标签DDDRRRLLLCCCfswf_{sw}fsw​模式VoutV_{out}Vout​ /VΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ /V⟨iL⟩\\langle i_L\\rangle⟨iL​⟩ /AΔiL\\Delta i_LΔiL​ /Aη\\etaη /%
    基准 base 0.50 3 250 200 20 CCM 47.8530 1.99307 31.8938 2.39362 99.7341
    D D0.20 0.20 3 250 200 20 CCM 29.9649 0.49916 12.4840 0.95900 99.8959
    D D0.35 0.35 3 250 200 20 CCM 36.8544 1.07435 18.8956 1.67736 99.8424
    D D0.65 0.65 3 250 200 20 CCM 68.1692 3.69158 64.9091 3.10313 99.4590
    D D0.80 0.80 3 250 200 20 CCM 117.9777 7.86425 196.6088 3.77709 98.3615
    L L5u 0.50 3 5 200 20 DCM 59.6631 3.46158 49.7875 119.40200 99.3331
    L L20u 0.50 3 20 200 20 CCM 47.7100 1.98113 31.7097 29.92097 99.7160
    L L100u 0.50 3 100 200 20 CCM 47.8344 1.99152 31.8691 5.98408 99.7336
    L L500u 0.50 3 500 200 20 CCM 47.8592 1.99359 31.9020 1.19681 99.7341
    L L1000u 0.50 3 1000 200 20 CCM 47.8623 1.99385 31.9062 0.59840 99.7341
    R R5 0.50 5 250 200 20 CCM 47.9084 1.19734 19.1584 2.39617 99.8401
    R R10 0.50 10 250 200 20 CCM 47.9485 0.59919 9.5867 2.39810 99.9197
    R R20 0.50 20 250 200 20 CCM 47.9682 0.29972 4.7956 2.39904 99.9592
    fsw F10k 0.50 3 250 200 10 CCM 47.7951 3.97647 31.8304 4.78728 99.7342
    fsw F50k 0.50 3 250 200 50 CCM 47.8693 0.79777 31.9115 0.95745 99.7341
    fsw F100k 0.50 3 250 200 100 CCM 47.8716 0.39892 31.9141 0.47872 99.7340
    C C100u 0.50 3 250 100 20 CCM 47.8200 3.98062 31.8634 2.39363 99.7343
    C C470u 0.50 3 250 470 20 CCM 47.8658 0.84857 31.9070 2.39362 99.7340
    C C1000u 0.50 3 250 1000 20 CCM 47.8696 0.39889 31.9114 2.39362 99.7339

    4.2 占空比

    DDD 是唯一改变输出电压的量级参数。实测传输比与理想值的比值随 DDD 单调下降,因为 DDD 越大时输入电流越大、电阻性压降占比越高。

    图4-1 占空比对传输比误差

    图 4-1 实测输出电压相对理想值 Vin/(1−D)V_{in}/(1-D)Vin​/(1−D) 的比值

    图4-2 占空比对效率

    图 4-2 占空比对效率的影响

    表 4-2 占空比组关键派生量

    DDD0.200.350.500.650.80
    VoutV_{out}Vout​ 实测 /V 29.9649 36.8544 47.8530 68.1692 117.9777
    VoutV_{out}Vout​ 含损耗解析 /V 29.9688 36.8624 47.8723 68.2003 118.0328
    偏差 -0.013 % -0.022 % -0.040 % -0.046 % -0.047 %
    ΔiL\\Delta i_LΔiL​ 实测 /A 0.95900 1.67736 2.39362 3.10313 3.77709
    ΔiL\\Delta i_LΔiL​ 简单式 VinDTsw/LV_{in}DT_{sw}/LVin​DTsw​/L 0.96000 1.68000 2.40000 3.12000 3.84000
    简单式偏差 -0.10 % -0.16 % -0.27 % -0.54 % -1.64 %
    ⟨iL⟩\\langle i_L\\rangle⟨iL​⟩ /A 12.4840 18.8956 31.8938 64.9091 196.6088

    含损耗解析式在全占空比范围内与实测吻合到 0.05 % 以内;而电感电流纹波的简单式在 D=0.8D=0.8D=0.8 时偏差达 -1.64 %,正是 §3.2 指出的 iL(RL+Ron)i_L(R_L+R_{on})iL​(RL​+Ron​) 压降效应。

    4.3 电感与 CCM/DCM 边界 ★

    CCM/DCM 判据用 K=2LRTswK=\\dfrac{2L}{RT_{sw}}K=RTsw​2L​ 与临界值 Kc=D(1−D)2K_c=D(1-D)^2Kc​=D(1−D)2 比较。基准工况 K=3.333333K=3.333333K=3.333333、Kc=0.125000K_c=0.125000Kc​=0.125000,远在 CCM 区;临界电感为

    Lcrit=KcRTsw2=0.125×3×50×10−62=9.375 μH
    L_{crit}=\\frac{K_c R T_{sw}}{2}=\\frac{0.125\\times3\\times50\\times10^{-6}}{2}=9.375\\ \\mu\\mathrm{H}
    Lcrit​=2Kc​RTsw​​=20.125×3×50×10−6​=9.375 μH

    因此 L=5 μL=5\\ \\muL=5 μH 落入 DCM、L=20 μL=20\\ \\muL=20 μH 仍在 CCM,与实测的模式判定完全一致。

    图4-3 电感对输出电压

    图 4-3 电感量对输出电压的影响(5 µH 进入 DCM 后电压由 47.86 V 跳到 59.66 V;CCM 段与含损耗解析式重合)

    DCM 解析验证:DCM 下升压变换器的传输比为 VoVin=1+1+4D2/K2\\dfrac{V_o}{V_{in}}=\\dfrac{1+\\sqrt{1+4D^2/K}}{2}Vin​Vo​​=21+1+4D2/K​​。取 K=2L/(RTsw)=2×5×10−6/(3×50×10−6)=0.066667K=2L/(RT_{sw})=2\\times5\\times10^{-6}/(3\\times50\\times10^{-6})=0.066667K=2L/(RTsw​)=2×5×10−6/(3×50×10−6)=0.066667、D=0.5D=0.5D=0.5:

    VoVin=1+1+4×0.25/0.0666672=1+4.02=2.5 ⇒ Vo=60 V
    \\frac{V_o}{V_{in}}=\\frac{1+\\sqrt{1+4\\times0.25/0.066667}}{2}=\\frac{1+4.0}{2}=2.5\\ \\Rightarrow\\ V_o=60\\ \\mathrm{V}
    Vin​Vo​​=21+1+4×0.25/0.066667​​=21+4.0​=2.5 ⇒ Vo​=60 V

    实测 59.6631 V,偏差 -0.56 %(未计损耗,方向与 CCM 段一致——损耗使实际电压略低)。

    图4-4 电感对电流纹波

    图 4-4 电感电流纹波与电感量的关系(双对数)(ΔiL∝1/L\\Delta i_L\\propto 1/LΔiL​∝1/L,六个点偏差 ≤0.50 %)

    表 4-3 电感组

    LLL /µH5201002505001000
    模式 DCM CCM CCM CCM CCM CCM
    VoutV_{out}Vout​ /V 59.6631 47.7100 47.8344 47.8530 47.8592 47.8623
    ΔiL\\Delta i_LΔiL​ 实测 /A 119.40200 29.92097 5.98408 2.39362 1.19681 0.59840
    2.4×250/L2.4\\times250/L2.4×250/L /A 120.00000 30.00000 6.00000 2.40000 1.20000 0.60000
    偏差 -0.50 % -0.26 % -0.27 % -0.27 % -0.27 % -0.27 %
    ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ /V 3.46158 1.98113 1.99152 1.99307 1.99359 1.99385
    η\\etaη /% 99.3331 99.7160 99.7336 99.7341 99.7341 99.7341

    两条结论:

  • ΔiL\\Delta i_LΔiL​ 严格按 1/L1/L1/L 缩放(偏差恒为 -0.27 %,来自 iL(RL+Ron)i_L(R_L+R_{on})iL​(RL​+Ron​) 压降,与 LLL 无关)。
  • CCM 段 ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ 几乎与 LLL 无关(1.981–1.994 V),因为输出纹波由"导通期电容独供负载"决定,即 IoDTsw/CI_oDT_{sw}/CIo​DTsw​/C,与电感无关——这是 CCM 升压变换器的一个重要特性,容易与"加大电感能减小输出纹波"的直觉混淆(加大电感减小的是电流纹波,不是输出纹波)。
  • 4.4 负载电阻

    图4-5 负载对输出纹波

    图 4-5 负载电阻对输出纹波的影响

    表 4-4 负载组

    RRR /Ω351020
    VoutV_{out}Vout​ /V 47.8530 47.9084 47.9485 47.9682
    ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ 实测 /V 1.99307 1.19734 0.59919 0.29972
    ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ 解析 IoDTsw/CI_oDT_{sw}/CIo​DTsw​/C /V 1.99388 1.19771 0.59936 0.29980
    偏差 -0.04 % -0.03 % -0.03 % -0.03 %
    ⟨iL⟩\\langle i_L\\rangle⟨iL​⟩ /A 31.8938 19.1584 9.5867 4.7956
    ΔiL\\Delta i_LΔiL​ /A 2.39362 2.39617 2.39810 2.39904
    η\\etaη /% 99.7341 99.8401 99.9197 99.9592

    ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ 严格按 1/R1/R1/R 缩放(因为输出纹波与负载电流成正比),而 ΔiL\\Delta i_LΔiL​ 几乎与 RRR 无关(2.394→2.399 A,变化 0.23 %),因为 ΔiL\\Delta i_LΔiL​ 只由输入电压、占空比与电感决定。轻载时效率单调升高(99.73 %→99.96 %),因为损耗 ∝i2\\propto i^2∝i2 而输出功率 ∝i\\propto i∝i。

    4.5 开关频率

    图4-6 开关频率对输出纹波

    图 4-6 开关频率对输出纹波的影响(双对数)

    表 4-5 开关频率组

    fswf_{sw}fsw​ /kHz102050100
    ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ 实测 /V 3.97647 1.99307 0.79777 0.39892
    ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ 解析 /V 3.98293 1.99388 0.79782 0.39893
    偏差 -0.16 % -0.04 % -0.01 % -0.00 %
    ΔiL\\Delta i_LΔiL​ 实测 /A 4.78728 2.39362 0.95745 0.47872
    ΔiL\\Delta i_LΔiL​ 解析 VinDTsw/LV_{in}DT_{sw}/LVin​DTsw​/L /A 4.80000 2.40000 0.96000 0.48000
    偏差 -0.26 % -0.27 % -0.26 % -0.26 %
    η\\etaη /% 99.7342 99.7341 99.7341 99.7340

    电压与电流纹波都严格按 1/fsw1/f_{sw}1/fsw​ 缩放。效率几乎完全不变(99.734 %→99.734 %)——因为本模型的开关与二极管只有通态电阻、没有开关损耗模型,提高频率在仿真里"免费"。

    这是该示例的重要局限:真实变换器的开关损耗随 fswf_{sw}fsw​ 线性上升,优化频率时必须计入。本模型无法用于开关频率的损耗优化,只能用于纹波-体积权衡。

    4.6 输出电容

    图4-7 输出电容对输出纹波

    图 4-7 输出电容对输出纹波的影响(双对数)

    表 4-6 电容组

    CCC /µF1002004701000
    ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ 实测 /V 3.98062 1.99307 0.84857 0.39889
    ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ 解析 IoDTsw/CI_oDT_{sw}/CIo​DTsw​/C /V 3.98500 1.99388 0.84868 0.39891
    偏差 -0.11 % -0.04 % -0.01 % -0.01 %
    ΔiL\\Delta i_LΔiL​ /A 2.39363 2.39362 2.39362 2.39362
    η\\etaη /% 99.7343 99.7341 99.7340 99.7339

    ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ 严格按 1/C1/C1/C 缩放,且与电感电流纹波完全解耦(ΔiL\\Delta i_LΔiL​ 在四个电容值下逐位相同)。

    4.7 纹波标度律汇总

    把三组参数(RRR、fswf_{sw}fsw​、CCC)都归一化到基准值,输出纹波也归一化,三组点应全部落在同一条 1/x1/x1/x 曲线上:

    图4-8 纹波标度律归一化

    图 4-8 输出纹波标度律的归一化验证

    表 4-7 输出纹波标度律

    影响因素关系实测偏差范围
    占空比与开关周期 ΔVout=IoDTsw/C\\Delta V_{out}=I_oDT_{sw}/CΔVout​=Io​DTsw​/C(仅 DDD 变化时) ≤0.05 %
    负载电阻 RRR ΔVout∝1/R\\Delta V_{out}\\propto 1/RΔVout​∝1/R -0.03 % ~ -0.04 %
    开关频率 fswf_{sw}fsw​ ΔVout∝1/fsw\\Delta V_{out}\\propto 1/f_{sw}ΔVout​∝1/fsw​ -0.00 % ~ -0.16 %
    输出电容 CCC ΔVout∝1/C\\Delta V_{out}\\propto 1/CΔVout​∝1/C -0.01 % ~ -0.11 %
    电感 LLL CCM 段几乎无关(1.981~1.994 V) —

    工程含义:想减小输出纹波,最直接的手段是加大电容或提高开关频率(都是 1/x1/x1/x 关系),而加大电感只减小电流纹波、对输出纹波几乎无效;负载越轻输出纹波越小。


    5 结论与模型局限

    5.1 结论

  • 24 V 输入、D=0.5D=0.5D=0.5 的升压变换器稳态输出 47.8530 V,与理想值 48 V 差 -0.3062 %;把三处电阻性损耗计入解析式后偏差降到 -0.0403 %,说明波形与损耗机理都被模型正确再现。
  • 电感电流 31.8938 A、电流纹波 2.3936 A、输出纹波 1.9931 V、效率 99.7341 %。含损耗的精确纹波式中 [Vin−iL(RL+Ron)]DTsw/L[V_{in}-i_L(R_L+R_{on})]DT_{sw}/L[Vin​−iL​(RL​+Ron​)]DTsw​/L 与实测吻合到 0.0001 %。
  • 窗口能量审计闭合到 -0.000036 %、伏秒平衡残差 +0.0001 %、电容电荷平衡 -0.0000 %——本模型在 40 ms 充分稳态下的守恒关系成立到机器精度。
  • 启动过冲到 62.6025 V(+30.82 %),4.75 ms(95 个周期)后才稳定;这是电容从 0 V 起充 + LC 欠阻尼振铃的结果(阻尼时间常数约 1.2 ms)。
  • 单因素扫描给出三条干净的标度律:ΔVout∝1/(RfswC)\\Delta V_{out}\\propto 1/(R f_{sw} C)ΔVout​∝1/(Rfsw​C)、ΔiL∝1/L\\Delta i_L\\propto 1/LΔiL​∝1/L、CCM 段 ΔVout\\Delta V_{out}ΔVout​ 与 LLL 无关。
  • 电感降到 5 µH 进入 DCM,输出电压跳到 59.6631 V,与 DCM 解析式预测的 60 V 相差 -0.56 %。
  • 效率从 D=0.2D=0.2D=0.2 的 99.8959 % 单调降到 D=0.8D=0.8D=0.8 的 98.3615 %;轻载效率更高(R=20 ΩR=20\\ \\OmegaR=20 Ω 时 99.9592 %)。
  • 5.2 模型局限(务必与结论一并引用)

    局限具体表现影响
    无开关损耗 开关与二极管只有通态电阻 RonR_{on}Ron​、RdR_dRd​ 与恒定压降 VfV_fVf​,没有开关损耗模型 提高 fswf_{sw}fsw​ 在仿真里"免费"(效率恒为 99.734 %),不能用于开关频率的损耗优化
    理想器件 Vf=0V_f = 0Vf​=0(二极管与 MOSFET 体二极管),无反向恢复、无结电容 效率偏高(99.73 %);真实 48 V/765 W 变换器通常低 0.5–2 个百分点
    无寄生参数 无引线电感、无电容 ESR/ESL 无法研究开关尖峰、EMI、驱动振荡
    负载为纯电阻 Load 的 BranchType = R 无法评估恒功率负载下的负阻抗特性与稳定性
    电容初值未设 Series RLC Branch1 的 Setx0 = off,InitialVoltage = 40 被忽略 每次仿真都要经历 4.75 ms 的启动暂态;做稳态分析必须延长仿真时间
    无闭环控制 占空比是常数块,PWM 直接由 DDD 生成 无电压调节、无负载/输入扰动抑制能力评估

    5.3 对示例本身的两点更正

  • 说明书与模型一致,但线名有误:BoostConverterExample.m 说"VoutV_{out}Vout​ 应接近 24/(1-0.5) = 48 V",仿真给出 47.85 V(含损耗解析式 47.872 V),吻合良好。但 Scope 第 3 路信号的线名 Is 与其实质(二极管电流 iDi_DiD​)不符(§1.6)。
  • 默认配置下无法做纹波分析:原配置 MaxStep = 1e-4 s 大于开关周期 50 µs,虽然 SPS 会在开关事件处插点、稳态均值仍准确到 0.12 %,但 8 ms 只记录 2348 点且含大量零间隔重复点,不足以测量纹波。做纹波分析必须收紧 MaxStep。

  • 6 附:复现方法

    6.1 文件组织

    Examples\\BoostConverterExample\\
    ├── BoostConverter.slx 原始模型(只读,未修改;mtime 2025-06-25 23:26:23)
    ├── BoostConverterExample.m 原始说明脚本(只读)
    └── BoostConverter_仿真分析_261006\\ 本次交付
    ├── BoostConverter仿真报告.md 本报告
    ├── BoostConverter_export.m 基准仿真与信号导出
    ├── BoostConverter_analyze.m 稳态指标、损耗分解与守恒校核
    ├── BoostConverter_sweep.m 关键参数对比仿真(19 算例)
    ├── BoostConverter_figs.m 数据图生成(一图一文件,无子图)
    ├── BoostConverter_shot.m 模型界面截图 + 原理框图(必须最后运行)
    ├── 图片\\ 19 张 PNG,均为 100 mm 宽 @300 dpi
    └── 仿真数据\\ bc_base.mat / bc_metrics.mat / bc_orig.mat / bc_sweep.mat

    6.2 复现步骤

    依次运行(MATLAB R2023b,需 Simscape Electrical):

  • BoostConverter_export.m —— 约 4 s,产出 bc_base.mat(48 176 点、5 路信号)与 bc_orig.mat(配置对照)
  • BoostConverter_analyze.m —— 秒级,打印全部稳态指标与守恒校核
  • BoostConverter_sweep.m —— 分两批运行(先 SWGRP = {'D','L','R'},再 {'Fsw','C'}),约 2 min,产出 bc_sweep.mat
  • BoostConverter_figs.m → BoostConverter_shot.m —— 出图,必须保持此顺序
  • 6.3 关键实现要点

    ① 取数与"隐藏信号"的恢复。模型只有 3 路示波器信号,电感电流需要用两个已有的测量量重构:

    iL = Ifet + Id; % ★ 电感电流 = 开关电流 + 二极管电流(二者互斥,逐点相加)

    门极驱动信号原本没有引出,可以临时挂一个 To Workspace 到 PWM 输出(在内存里改,不保存模型):

    add_block('simulink/Sinks/To Workspace', [mdl '/BC_gate_TW'], …
    'VariableName','g_gate', 'SaveFormat','Structure With Time', 'SampleTime','-1');
    add_line(mdl, pwmOutportHandle, twInportHandle); % 用端口句柄,避免块名含换行

    ⚠ ReturnWorkspaceOutputs='on' 时 To Workspace 的数据进 SimulationOutput,不进 base:g_gate 在 base 里根本不存在,必须用 out.get('g_gate') 取。

    ② 时间栅格非均匀,平均值必须用 trapz 加权。SPS 会在换向瞬间产生零间隔重复点(本例 48 175 个区间中有 4 662 个重复区间,占 9.7 %),直接用 mean 会被"卡在开关瞬间"的样本带偏:

    wmean = @(t, y) trapz(t, y) / (t(end) – t(1)); % ★ 时间加权,不能用 mean

    实测教训:用 mean 报出的原配置 VoutV_{out}Vout​ 是 47.4374 V,用 trapz 是 47.9122 V——同一个数据,差 0.8 %。

    ③ 换向瞬间的"切换前状态"采样点必须剔除,否则 on/off 分离出错(§2.3):

    same = [false; abs(diff(g)) < 0.5]; % 剔除紧跟在门极跳变后的那一个点
    mON = g > 0.5 & same;
    mOFF = g <= 0.5 & same;

    ④ 能量平衡必须在窗口内做实,不能只比平均功率:

    Ein = trapz(t, Vin*iL);
    Eout = trapz(t, v.^2/R);
    Eloss = trapz(t, Rl*iL.^2 + Ron*iFET.^2 + Rd*iD.^2);
    dEst = 0.5*C*(v(end)^2 – v(1)^2) + 0.5*L*(iL(end)^2 – iL(1)^2);
    resid = Ein – Eout – Eloss – dEst; % 期望 ~0

    ⑤ 稳态窗口要等 LC 振铃衰减够。阻尼时间常数 τ=2L/(R)\\tau = 2L/(R)τ=2L/(R) 量级:R=3 ΩR=3\\ \\OmegaR=3 Ω 时约 1.2 ms(8 ms 足够),R=20 ΩR=20\\ \\OmegaR=20 Ω 时达 8 ms(需 100 ms),C=1000 μC=1000\\ \\muC=1000 μF 时达 6 ms(需 100 ms)。窗口不够会把振铃尾巴算进纹波与储能项。

    ⑥ 图表规范:100 mm 宽 @ 300 dpi,中文宋体、西文 Times New Roman,变量斜体、单位正体,图内不放标题,图题在下方、表题在上方;每张图都是独立 figure,不使用 subplot。

    6.4 数值核实清单

    核实项结果
    原始 .slx mtime 2025-06-25 23:26:23(运行前后一致,未写盘)
    模型 Dirty 状态 off
    目录残留(.autosave / slprj / .slxc / 临时 To Workspace 块) 无
    字体分段审计 ml_audit_tx [错] 0 / [疑] 0 / [微] 0
    像素边距自检 19 张全部 OK
    报告数字来源 全部来自脚本控制台打印值,未凭记忆填写

    参考文献

  • N. Mohan, T. M. Undeland, W. P. Robbins. Power Electronics: Converters, Applications and Design. 3rd ed., Wiley, 2003.(升压变换器 CCM/DCM 传输比与纹波公式)
  • R. W. Erickson, D. Maksimović. Fundamentals of Power Electronics. 3rd ed., Springer, 2020.(DCM 传输比 1+1+4D2/K2\\frac{1+\\sqrt{1+4D^2/K}}{2}21+1+4D2/K​​ 与 KKK 判据)
  • Hydro-Québec / MathWorks. Boost Converter(Simscape Electrical 示例文档),R2023b.
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