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在这里主要分享自己学习的linux嵌入式领域知识；有分享错误或者不足的地方欢迎大佬指导，也欢迎各位大佬互相三连
文章目录
- 前言
- 一、pandas是什么？
- 二、使用步骤
- 1.引入库
- 2.读入数据
- 总结
前言
近期很荣幸受到深圳市雷龙发展有限公司的邀请，尝试测评其代理的创世SD NAND存储芯片样品，他们给我邮寄了一颗128mbyte的SD NAND（CSNP1GCR01-AOW）以及一块转接板。
不得不说的是雷龙的效率非常高，博主当天交流完，立马就发了顺丰，第二天就到了，这波真是深圳速度的具象化了。
而且很贴心的帮我把芯片和转接板给焊好了，这波相当于开箱即食了。
深圳市雷龙发展有限公司是一家专注NAND Flash设计研发的公司
（公司网址http://www.longsto.com/）。
一、初识 SD NAND：工业级板载存储的专属选手
1.1 SD NAND基本概念
相信大家用的比较多的是TF SD卡，创世SD NAND可以理解为：贴片式TF卡、贴片式SD卡。这样大家应该对此产品有个简单的概念了。
大家可以把SD NAND简单的理解为 把TF/SD卡做成了一个6*8mm LGA-8封装，可以机贴的存储芯片。
1.2、芯片实物图及核心特点
下面两张图是芯片的实物图：
芯片正面图
芯片背面图
贴片焊接设计：LGA-8 封装，直接焊接在 PCB 板上，无插拔损耗，抗震、抗干扰性拉满，适配工业设备的严苛环境； 尺寸小巧：仅 6×8mm，比传统 TF 卡座 + TF 卡方案节省大量 PCB 空间，特别适合小型化手持设备、智能终端； 高集成度：自带坏块管理与 Flash 管理算法，无需编写驱动程序，标准 SDIO 接口兼容SPI/SD 协议，直接移植标准驱动即可使用； 工业级寿命与稳定性：内置 SLC 晶圆擦写寿命可达 10 万次，通过 1 万次随机掉电测试，支持 – 40℃~+85℃宽温工作，远超消费级存储产品。
1.3、内部原理图
下图是芯片的内部原理图：
接下来我便详细讲解一下这个原理图：
电源滤波： VCC 引脚（第 8 脚）接 3.3V 供电，搭配两颗滤波电容 C1（104，即 0.1μF）、C2（103，即 0.01μF），官方推荐额外增加2.2μF 电容进一步优化电源稳定性，适配工业环境的电源波动。 VSS 引脚（第 4 脚）直接接地，完成电源回路。
时钟线设计： CLK 引脚（第 3 脚）串接 33Ω 电阻 R2-A（官方推荐范围 0~120Ω）
用于抑制信号反射、减少电磁干扰，保证高速时钟信号的完整性，避免传输误码。
上拉电阻设计： CMD 和 DAT0~3 线均需接 10K~100KΩ 上拉电阻（图中 R3-A~R7-A），防止 SD NAND 进入高阻态时总线浮空，避免总线电平不确定导致的通信异常。 注意：即使仅使用 1-bit SD 模式，也必须对 DAT0~3 全部上拉，这是保证总线稳定的关键。
数据与命令线： SDD0~SDD3（数据总线）、CMD（命令线）直接连接到主控的 SDIO 引脚，配合上拉电阻完成通信链路，无需额外驱动器件。
二、核心参数与技术优势
2.1、核心规格
| 型号 | CSNP1GCR01-AOW（1Gbit/128MB），同系列最高支持 32Gbit |
| 封装 | LGA-8，尺寸 6×8mm |
| 颗粒类型 | SLC 晶圆，擦写寿命 10 万次 |
| 接口 | 标准 SDIO 接口，兼容 SPI/SD 2.0 协议 |
| 速率 | Class10，读取速度 23.5MB/s，写入速度 12.3MB/s |
| 温度范围 | -40℃~+85℃（工业级） |
| 特殊特性 | 自带坏块管理、掉电保护，通过 1 万次随机掉电测试 |
| 容量选项 | 128MB/512MB/4GB/8GB（主流容量） |
2.2 自研控制器与 Flash 管理算法
雷龙 SD NAND 的核心竞争力在于自研控制器 + 四大 Flash 管理算法
2.2.1、自研控制器优势
2.2.2、四大 Flash 管理算法
产品内置了均衡磨损、坏块替换、掉电保护、数据校验四大核心算法，从底层保证了工业场景下的数据可靠性，这是普通消费级 TF 卡完全无法比拟的。如下图所示：
2.3、与同类产品对比：稳省快的平衡之选
雷龙 SD NAND 在工业存储选型中，完美填补了 TF 卡、Raw NAND、eMMC 之间的空白
| 可靠性 | 焊接式，抗震抗干扰，工业级 | 插拔式，易接触不良 | 焊接式，成本高 | 需自行驱动，开发复杂 |
| 开发难度 | 无需驱动，直接移植 SDIO 驱动 | 需卡座，驱动简单 | 驱动复杂，硬件要求高 | 极高，需坏块管理 |
| 成本 | 适中，比 eMMC 便宜 | 低，但工业场景易损坏 | 高 | 低，但开发成本高 |
| 速率 | Class10，读 23.5MB/s 写 12.3MB/s | 参差不齐 | 高速 | 取决于主控 |
| 寿命 | SLC 颗粒 10 万次擦写 | 消费级，寿命短 | 较长 | 取决于颗粒 |
三、芯片实测表现
3.1、测试写入读回速度
下图就是雷龙给我邮寄的样品，可以看到128mbyte的SD NAND与转接板已经焊好了。
使用方法如下，插入读卡器，再插入USB接口
插入USB如下图所示：
可以看到电脑上一句多了个sd卡设备
写入一个109 MB的文件，平均速度在4MB/s
再将其读回到电脑硬盘，读取平均速度可以达到20MB/s。
3.2测试烧录代码功能
这里我们使用imx6ull开发板进行测试，首先咱们从ubuntu中把代码烧录进sd卡，还是插入读卡器，先用ls /dev/sd*查看地址。
我的是/dev/sdb。
再给予imxdownload可执行权限：
chmod 777 imxdownload
这里我们烧写led亮实验
烧写命令：
./imxdownload ledc.bin /dev/sdb
如下图所示：
烧写成功，再把卡插入开发板，并使用SD卡启动。如下图所示：
最终开发板成功启动，LED 正常点亮，证明 SD NAND 完全可以替代传统 TF 卡作为系统启动介质，兼容性拉满。
总结
通过本次实测，我对创世 SD NAND（CSNP1GCR01-AOW）的整体表现非常满意，对于嵌入式开发者来说，如果你正在为工业项目寻找一款稳定、小巧、易用、成本可控的板载存储方案，又不想被 TF 卡座的可靠性问题困扰，那么这款创世 SD NAND 绝对值得一试。它不仅能缩小产品体积、提升设备稳定性，还能大幅降低开发与维护成本，是工业存储领域的优质新选择。
