6. 隔离反激部分实现
①反激电路的工作原理
开关导通阶段：当IC内部的功率MOS导通时，输入直流电压通过MOS加到变压器初级绕组，初级绕组产生磁动势，使变压器铁芯储能，此时次级感应出反向电压，二极管处于反向截止状态，负载主要由输出电容提供能量。
开关关断阶段：当MOS关断时，变压器初级绕组的电流迅速下降，次级绕组感应出正向电压，二极管导通，变压器储存的能力通过次级绕组、二极管、输出电容何负载释放，为负载供电，同时给输出电容补充电量。
②IC控制与调节：芯片通过采样输出电压跟电流，调整MOS的导通跟关断时间，以此实现恒压、恒流输出。
③其他电路：RCD吸收尖峰电路（初次级均使用了RCD电路），FB反馈采用的辅助绕组的电压。
④两个三极管8050控制的整体思路：
PWMFC高电平输入→Q4导通→Q4集电极接地→Q3基极被拉到0V→Q3截止，3.3V无法通过Q3给VDD供电→U6芯片断电不工作；
PWMFC低电平输入→Q4截止→Q4集电极悬空→3.3V通过R62给Q3基极供电→Q3导通，3.3V通过Q3输出VCC给IC供电→U6上电启动工作；
⑤Layout设计分析
- 原边主功率环路Loop1的面积应尽可能小，同时走线尽可能粗以优化效率。
- RCD吸收回路Loop2面积尽可能小。
- VDD电容C3应紧贴芯片，保证VDD回路Loop3的面积尽可能小。
- 如Line1，辅助绕组应直接连接到输入电容的地，以减少ESD能量对于芯片的干扰。
- 如Line2显示，VDD电容C3及FB下阻R5应先连到芯片的GND管脚，再连接到输入电容的地。
