欢迎光临
我们一直在努力

单向导通的魔法:从 PN 结到电路保护,一文掌握二极管

二极管是电子电路中最基础、最核心的半导体器件之一。它虽然只有两个引脚,但几乎出现在所有的电子设备中。下面从原理、结构、特性、分类、应用、选型和常见故障等方面,对它做一个比较全面的介绍。


一、什么是二极管

二极管是由一个 PN 结 加上引出线和封装构成的半导体器件。它的最基本特性是:

单向导电性:电流只能从阳极(正极)流向阴极(负极),反向则几乎不导通。

二极管在电路图中的符号是一个三角形指向一条竖线:

阳极 A ——|▶|—— 阴极 K
三角 竖线

  • 阳极(Anode):对应 P 区,电流从这一端流入。

  • 阴极(Cathode):对应 N 区,电流从这一端流出。

  • 电流方向与符号中三角箭头方向一致。


二、PN 结与工作原理

1. P 型半导体与 N 型半导体

  • P 型半导体:掺入三价元素,如硼,形成大量空穴,空穴带正电,是多数载流子。

  • N 型半导体:掺入五价元素,如磷,形成大量自由电子,电子带负电,是多数载流子。

2. PN 结的形成

把 P 型半导体和 N 型半导体做在同一块硅片或锗片上,在交界面附近:

  • P 区的空穴向 N 区扩散;

  • N 区的电子向 P 区扩散;

  • 扩散后,交界处留下不能移动的正负离子,形成 空间电荷区,也叫 耗尽层;

  • 这个区域内部产生一个由 N 指向 P 的 内建电场,阻止多数载流子继续扩散。

最终达到动态平衡,形成 PN 结。

3. 正向偏置与反向偏置

正向偏置
  • P 区接电源正极,N 区接电源负极;

  • 外电场方向与内建电场方向相反,削弱内建电场;

  • 耗尽层变窄;

  • 当外加电压超过“门槛电压”后,多数载流子可以大量越过 PN 结,形成较大正向电流;

  • 二极管导通。

反向偏置
  • P 区接电源负极,N 区接电源正极;

  • 外电场与内建电场方向相同,增强内建电场;

  • 耗尽层变宽;

  • 多数载流子难以越过 PN 结,只有极少数少子形成反向漏电流;

  • 二极管截止。


三、二极管的伏安特性曲线

二极管的电压与电流关系是非线性的,通常分为四个区域:

1. 正向特性区

  • 当正向电压较小,低于 死区电压 时,正向电流很小,几乎为零;

  • 硅二极管死区电压约为 0.5 V,锗二极管约为 0.1~0.2 V;

  • 电压超过死区电压后,电流迅速增大;

  • 正常导通时,硅管正向压降约为 0.6~0.7 V,锗管约为 0.2~0.3 V;

  • 导通后正向压降随电流变化不大,因此二极管正向具有“稳压”特性。

2. 反向截止区

  • 加反向电压时,只有很小的反向漏电流;

  • 硅管反向漏电流通常为纳安到微安级;

  • 锗管反向漏电流较大,可达微安到毫安级;

  • 该区域二极管基本不导通。

3. 反向击穿区

  • 当反向电压增大到一定值时,反向电流突然急剧增大;

  • 这个电压称为 反向击穿电压;

  • 击穿分为两种:

    • 齐纳击穿:发生在低反向电压下,通常低于 5~6 V,电场很强,直接把共价键中的电子拉出;

    • 雪崩击穿:发生在较高反向电压下,载流子被电场加速后碰撞电离,产生倍增效应;

  • 普通二极管发生反向击穿后如果电流过大,会永久损坏;

  • 稳压二极管正是利用反向击穿区工作的,但需要串联限流电阻。

4. 反向恢复区

  • 二极管从正向导通突然转为反向截止时,不能立即关断;

  • 存储电荷需要一定时间才能清除;

  • 这段时间称为 反向恢复时间,对高频和开关电路非常重要。


四、二极管的主要参数

选择二极管时,需要关注以下关键参数:

参数说明
最大整流电流 IF 允许长期通过的最大正向平均电流,超过会过热烧毁
最高反向工作电压 VRM 允许长期施加的反向电压最大值,通常低于击穿电压
反向击穿电压 VBR 二极管开始发生反向击穿的电压
正向压降 VF 导通时两端的电压,硅管约 0.7 V,肖特基约 0.2~0.5 V
反向漏电流 IR 反向截止时的微小电流,越小越好
反向恢复时间 trr 从导通到截止的转换时间,高频电路要求短
结电容 CJ PN 结的电容,高频或高速电路中影响大
最高工作频率 fM 二极管能正常工作的频率上限
耗散功率 PD 允许消耗的最大功率,与散热条件有关

五、二极管的主要类型

二极管种类繁多,按材料、结构、用途可以分为很多种。

1. 按材料分类

硅二极管
  • 最常见;

  • 正向压降约 0.6~0.7 V;

  • 反向漏电流小;

  • 工作温度范围宽,通常 -55 ℃~+150 ℃;

  • 广泛用于整流、开关、保护等。

锗二极管
  • 正向压降低,约 0.2~0.3 V;

  • 反向漏电流较大;

  • 温度稳定性差;

  • 曾经用于检波、小信号整流,现在用得较少。

砷化镓、碳化硅等化合物半导体二极管
  • 用于高频、高温、高压等特殊场合;

  • 碳化硅肖特基二极管耐压高、开关速度快、反向恢复几乎为零。

2. 按结构分类

点接触型二极管
  • PN 结面积小;

  • 结电容小;

  • 适合高频检波、小电流整流;

  • 例如早期的锗检波二极管。

面接触型二极管
  • PN 结面积大;

  • 允许通过较大电流;

  • 结电容较大;

  • 适合低频整流、大功率场合。

平面型二极管
  • 采用平面工艺制造;

  • 性能稳定,一致性好;

  • 广泛用于集成电路和分立器件。

3. 按功能用途分类

这是实际工程中最常用的分类方式。

① 整流二极管
  • 将交流电变为直流电;

  • 要求正向电流大、反向耐压高;

  • 常见型号:1N4001~1N4007、1N5400 系列;

  • 1N4007 的反向耐压可达 1000 V,正向电流 1 A;

  • 工作频率较低,通常用于工频整流。

② 快恢复二极管
  • 反向恢复时间很短,通常在几十到几百纳秒;

  • 用于开关电源、逆变器、高频整流;

  • 常见型号:FR107、FR207、UF4007、MUR 系列。

③ 超快恢复二极管
  • 反向恢复时间可低至几十纳秒甚至更低;

  • 用于高频开关电源输出整流;

  • 例如 MUR820、STTH 系列。

④ 肖特基二极管
  • 不是普通 PN 结,而是金属与半导体接触形成的势垒;

  • 正向压降低,通常 0.2~0.5 V;

  • 开关速度极快,反向恢复时间几乎为零;

  • 缺点:反向耐压较低,通常低于 200 V,反向漏电流较大;

  • 常用于低压高频整流、续流、防反接保护;

  • 常见型号:1N5819、SS14、SS34、MBR 系列。

⑤ 稳压二极管,又称齐纳二极管
  • 工作在反向击穿区;

  • 在规定的电流范围内,两端电压基本保持恒定;

  • 稳压值从 2 V 到 200 V 不等;

  • 必须串联限流电阻;

  • 常用于基准电压、过压保护、电平移动;

  • 常见型号:1N4728~1N4764、BZX55 系列、MMSZ 系列。

⑥ 变容二极管
  • 利用 PN 结反偏时结电容随反向电压变化的特性;

  • 反偏电压越大,结电容越小;

  • 用于压控振荡器、调谐电路、频率调制;

  • 常见型号:BB910、1SV149、MV209 等。

⑦ 发光二极管,即 LED
  • 正向导通时电子与空穴复合,释放能量,发出光子;

  • 发光颜色由半导体材料和掺杂决定;

  • 工作电压因颜色而异:

    • 红色:约 1.8~2.2 V

    • 绿色:约 2.0~3.0 V

    • 蓝色、白色:约 3.0~3.6 V

  • 需要串联限流电阻,防止电流过大;

  • 广泛用于指示、照明、显示、通信。

⑧ 光电二极管
  • 工作在反向偏置;

  • 光照会激发电子-空穴对,使反向电流增大;

  • 用于光检测、光通信、照度测量;

  • 常见型号:BPW34、SFH 系列。

⑨ 激光二极管
  • 结构类似发光二极管,但有光学谐振腔;

  • 发出相干光;

  • 用于光纤通信、激光笔、光驱、激光测距。

⑩ TVS 二极管,即瞬态电压抑制二极管
  • 专门用于吸收浪涌电压、静电放电等瞬态过压;

  • 响应速度极快,可达皮秒级;

  • 钳位电压低,保护后级电路;

  • 常用于 USB、HDMI、电源接口等;

  • 常见型号:SMBJ 系列、P6KE 系列、ESD 专用二极管。

⑪ 隧道二极管
  • 利用量子隧道效应,具有负阻特性;

  • 用于超高频振荡、微波放大;

  • 现在使用较少。

⑫ 恒流二极管
  • 在较宽电压范围内提供近似恒定电流;

  • 用于 LED 驱动、恒流源。

⑬ 气体放电二极管、真空二极管
  • 早期电子管时代的二极管;

  • 现在几乎被半导体二极管取代。


六、二极管的典型应用电路

1. 整流电路

半波整流
  • 一个二极管;

  • 只利用交流电的正半周或负半周;

  • 效率低,输出电压脉动大。

全波整流
  • 需要带中心抽头的变压器和两个二极管;

  • 正负半周都被利用。

桥式整流
  • 四个二极管组成整流桥;

  • 不需要中心抽头;

  • 是最常用的整流方式;

  • 集成整流桥有四个引脚:两个交流输入,一个正输出,一个负输出。

2. 续流二极管

  • 并联在继电器、电磁铁、电机等感性负载两端;

  • 当开关关断时,电感会产生反向感应电动势;

  • 续流二极管为电感电流提供回路,抑制高压尖峰;

  • 保护开关管或驱动电路;

  • 常用 1N4007、肖特基二极管。

3. 钳位电路

  • 将信号某一点的电平固定到指定值;

  • 例如 TVS 二极管将电压钳制在安全范围;

  • 也可用于波形平移。

4. 限幅电路

  • 两个反向并联的二极管可以将信号幅度限制在 ±0.7 V 左右;

  • 用于输入保护、波形整形。

5. 检波电路

  • 从调幅波中提取音频信号;

  • 使用点接触锗二极管或肖特基二极管;

  • 常见于收音机、通信接收机。

6. 稳压电路

  • 稳压二极管与限流电阻配合,提供简单稳压输出;

  • 输出电压等于稳压管稳压值;

  • 适合小电流、对精度要求不高的场合。

7. 防反接保护

  • 电源输入串联二极管;

  • 电源接反时二极管截止,保护后级电路;

  • 缺点是正向有压降,会损失功率;

  • 大电流场合可用 MOSFET 代替。

8. 逻辑门

  • 二极管与电阻可以组成简单的与门、或门;

  • 例如两个二极管组成与门,只有两个输入都为高电平时输出才为高;

  • 现在主要用于教学或简单逻辑。

9. 温度补偿

  • 二极管正向压降具有负温度系数,约 -2 mV/℃;

  • 可用于温度测量或温度补偿电路。

10. 倍压整流

  • 多个二极管和电容组成倍压电路;

  • 例如二倍压、三倍压;

  • 用于需要高压小电流的场合,如示波器高压、静电除尘。


七、二极管的正向压降与温度特性

正向压降

  • 硅管约 0.6~0.7 V;

  • 锗管约 0.2~0.3 V;

  • 肖特基约 0.2~0.5 V;

  • 发光二极管约 1.8~3.6 V,视颜色而定。

温度特性

  • 正向压降随温度升高而减小,温度系数约为 -1.5 mV/℃~-2.5 mV/℃;

  • 反向漏电流随温度升高而增大,温度每升高 10 ℃,漏电流约增大一倍;

  • 反向击穿电压随温度升高而增大,对稳压二极管而言,不同稳压值的温度系数不同。


八、二极管的封装与识别

常见封装形式

  • DO-41:普通轴向引线封装,如 1N4007;

  • DO-15、DO-201:较大功率轴向封装,如 1N5408;

  • SMA、SMB、SMC:贴片封装,分别对应不同功率;

  • SOD-123、SOD-323:小信号贴片二极管;

  • TO-220、TO-247:大功率二极管或整流桥;

  • DIP、SOP 整流桥:集成整流桥;

  • LED 封装:3 mm、5 mm 直插,以及 0603、0805、3014、5050 等贴片。

引脚识别

  • 轴向二极管:带有色环的一端通常是阴极;

  • 贴片二极管:有横线或色带的一端通常是阴极;

  • 发光二极管:长脚为正极,短脚为负极;内部较大电极片通常是负极;

  • 可用万用表二极管挡测量,正向导通时显示约 0.5~0.7 V,表笔红接阳极,黑接阴极。


九、二极管的检测与好坏判断

使用数字万用表二极管挡

  • 红表笔接阳极,黑表笔接阴极:

    • 硅管显示 0.5~0.7 V;

    • 锗管显示 0.2~0.3 V;

    • 肖特基显示 0.2~0.5 V;

  • 表笔反过来:

    • 正常应显示“OL”或无穷大;

  • 若正反向都导通,说明短路;

  • 若正反向都截止,说明开路。

使用指针万用表

  • 注意指针万用表电阻挡的红黑表笔极性与数字万用表相反;

  • 黑表笔接阳极,红表笔接阴极时,二极管正向导通。


十、二极管选型要点

在实际电路设计中,选择二极管需要综合考虑:

  • 工作电压:最高反向工作电压应高于电路可能出现的最大反向电压,并留有一定余量;

  • 工作电流:最大整流电流应大于实际平均电流,脉冲电流也要考虑;

  • 工作频率:高频电路应选择快恢复、超快恢复或肖特基二极管;

  • 正向压降:低压大电流电路应选择正向压降低的肖特基二极管,以减小损耗;

  • 反向恢复时间:开关电源、逆变器应选择快恢复或肖特基;

  • 封装与散热:大功率场合需要良好散热,必要时加散热器;

  • 成本与供货:在满足性能的前提下选择常见型号。


  • 十一、常见故障与原因

    1. 短路

    • 反向电压过高,发生击穿;

    • 浪涌电流过大,烧毁 PN 结;

    • 过热导致失效。

    2. 开路

    • 长时间过流,内部引线熔断;

    • 机械应力导致引脚断裂;

    • 焊接过热损坏。

    3. 漏电流增大

    • 高温工作环境;

    • 反向电压接近极限;

    • 元件老化。

    4. 正向压降升高

    • 内部接触电阻增大;

    • 过热损伤。


    十二、二极管的发展与新技术

    二极管从早期的电子管、矿石检波器,发展到今天的半导体二极管,已经有上百年历史。

    • 1904 年:弗莱明发明真空二极管;

    • 20 世纪 40 年代:点接触锗二极管出现;

    • 20 世纪 50 年代:硅二极管成熟,性能大幅提升;

    • 20 世纪 60 年代:发光二极管问世;

    • 20 世纪 70 年代后:肖特基、快恢复、变容、激光二极管等不断出现;

    • 近年:碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体二极管在高频、高压、高温领域得到广泛应用。

    现代二极管继续朝着 高频、大功率、低损耗、集成化、小型化 方向发展。


    总结

    二极管虽然结构简单,但种类繁多、应用广泛。它的核心是 PN 结的单向导电性,而不同的材料、结构和工艺又使其具有整流、稳压、发光、光电转换、高速开关、瞬态保护等多种功能。掌握二极管的伏安特性、主要参数和典型应用,是学习电子技术的基础,也是分析和设计电路的基本功。

    赞(0)
    未经允许不得转载:171主机测评 » 单向导通的魔法:从 PN 结到电路保护,一文掌握二极管
    分享到: 更多 (0)

    评论 抢沙发

    • 昵称 (必填)
    • 邮箱 (必填)
    • 网址