二极管是电子电路中最基础、最核心的半导体器件之一。它虽然只有两个引脚,但几乎出现在所有的电子设备中。下面从原理、结构、特性、分类、应用、选型和常见故障等方面,对它做一个比较全面的介绍。
一、什么是二极管
二极管是由一个 PN 结 加上引出线和封装构成的半导体器件。它的最基本特性是:
单向导电性:电流只能从阳极(正极)流向阴极(负极),反向则几乎不导通。
二极管在电路图中的符号是一个三角形指向一条竖线:
阳极 A ——|▶|—— 阴极 K
三角 竖线
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阳极(Anode):对应 P 区,电流从这一端流入。
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阴极(Cathode):对应 N 区,电流从这一端流出。
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电流方向与符号中三角箭头方向一致。
二、PN 结与工作原理
1. P 型半导体与 N 型半导体
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P 型半导体:掺入三价元素,如硼,形成大量空穴,空穴带正电,是多数载流子。
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N 型半导体:掺入五价元素,如磷,形成大量自由电子,电子带负电,是多数载流子。
2. PN 结的形成
把 P 型半导体和 N 型半导体做在同一块硅片或锗片上,在交界面附近:
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P 区的空穴向 N 区扩散;
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N 区的电子向 P 区扩散;
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扩散后,交界处留下不能移动的正负离子,形成 空间电荷区,也叫 耗尽层;
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这个区域内部产生一个由 N 指向 P 的 内建电场,阻止多数载流子继续扩散。
最终达到动态平衡,形成 PN 结。
3. 正向偏置与反向偏置
正向偏置
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P 区接电源正极,N 区接电源负极;
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外电场方向与内建电场方向相反,削弱内建电场;
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耗尽层变窄;
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当外加电压超过“门槛电压”后,多数载流子可以大量越过 PN 结,形成较大正向电流;
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二极管导通。
反向偏置
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P 区接电源负极,N 区接电源正极;
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外电场与内建电场方向相同,增强内建电场;
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耗尽层变宽;
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多数载流子难以越过 PN 结,只有极少数少子形成反向漏电流;
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二极管截止。
三、二极管的伏安特性曲线
二极管的电压与电流关系是非线性的,通常分为四个区域:
1. 正向特性区
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当正向电压较小,低于 死区电压 时,正向电流很小,几乎为零;
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硅二极管死区电压约为 0.5 V,锗二极管约为 0.1~0.2 V;
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电压超过死区电压后,电流迅速增大;
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正常导通时,硅管正向压降约为 0.6~0.7 V,锗管约为 0.2~0.3 V;
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导通后正向压降随电流变化不大,因此二极管正向具有“稳压”特性。
2. 反向截止区
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加反向电压时,只有很小的反向漏电流;
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硅管反向漏电流通常为纳安到微安级;
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锗管反向漏电流较大,可达微安到毫安级;
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该区域二极管基本不导通。
3. 反向击穿区
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当反向电压增大到一定值时,反向电流突然急剧增大;
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这个电压称为 反向击穿电压;
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击穿分为两种:
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齐纳击穿:发生在低反向电压下,通常低于 5~6 V,电场很强,直接把共价键中的电子拉出;
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雪崩击穿:发生在较高反向电压下,载流子被电场加速后碰撞电离,产生倍增效应;
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普通二极管发生反向击穿后如果电流过大,会永久损坏;
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稳压二极管正是利用反向击穿区工作的,但需要串联限流电阻。
4. 反向恢复区
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二极管从正向导通突然转为反向截止时,不能立即关断;
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存储电荷需要一定时间才能清除;
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这段时间称为 反向恢复时间,对高频和开关电路非常重要。
四、二极管的主要参数
选择二极管时,需要关注以下关键参数:
| 最大整流电流 IF | 允许长期通过的最大正向平均电流,超过会过热烧毁 |
| 最高反向工作电压 VRM | 允许长期施加的反向电压最大值,通常低于击穿电压 |
| 反向击穿电压 VBR | 二极管开始发生反向击穿的电压 |
| 正向压降 VF | 导通时两端的电压,硅管约 0.7 V,肖特基约 0.2~0.5 V |
| 反向漏电流 IR | 反向截止时的微小电流,越小越好 |
| 反向恢复时间 trr | 从导通到截止的转换时间,高频电路要求短 |
| 结电容 CJ | PN 结的电容,高频或高速电路中影响大 |
| 最高工作频率 fM | 二极管能正常工作的频率上限 |
| 耗散功率 PD | 允许消耗的最大功率,与散热条件有关 |
五、二极管的主要类型
二极管种类繁多,按材料、结构、用途可以分为很多种。
1. 按材料分类
硅二极管
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最常见;
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正向压降约 0.6~0.7 V;
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反向漏电流小;
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工作温度范围宽,通常 -55 ℃~+150 ℃;
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广泛用于整流、开关、保护等。
锗二极管
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正向压降低,约 0.2~0.3 V;
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反向漏电流较大;
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温度稳定性差;
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曾经用于检波、小信号整流,现在用得较少。
砷化镓、碳化硅等化合物半导体二极管
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用于高频、高温、高压等特殊场合;
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碳化硅肖特基二极管耐压高、开关速度快、反向恢复几乎为零。
2. 按结构分类
点接触型二极管
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PN 结面积小;
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结电容小;
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适合高频检波、小电流整流;
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例如早期的锗检波二极管。
面接触型二极管
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PN 结面积大;
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允许通过较大电流;
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结电容较大;
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适合低频整流、大功率场合。
平面型二极管
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采用平面工艺制造;
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性能稳定,一致性好;
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广泛用于集成电路和分立器件。
3. 按功能用途分类
这是实际工程中最常用的分类方式。
① 整流二极管
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将交流电变为直流电;
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要求正向电流大、反向耐压高;
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常见型号:1N4001~1N4007、1N5400 系列;
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1N4007 的反向耐压可达 1000 V,正向电流 1 A;
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工作频率较低,通常用于工频整流。
② 快恢复二极管
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反向恢复时间很短,通常在几十到几百纳秒;
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用于开关电源、逆变器、高频整流;
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常见型号:FR107、FR207、UF4007、MUR 系列。
③ 超快恢复二极管
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反向恢复时间可低至几十纳秒甚至更低;
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用于高频开关电源输出整流;
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例如 MUR820、STTH 系列。
④ 肖特基二极管
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不是普通 PN 结,而是金属与半导体接触形成的势垒;
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正向压降低,通常 0.2~0.5 V;
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开关速度极快,反向恢复时间几乎为零;
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缺点:反向耐压较低,通常低于 200 V,反向漏电流较大;
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常用于低压高频整流、续流、防反接保护;
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常见型号:1N5819、SS14、SS34、MBR 系列。
⑤ 稳压二极管,又称齐纳二极管
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工作在反向击穿区;
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在规定的电流范围内,两端电压基本保持恒定;
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稳压值从 2 V 到 200 V 不等;
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必须串联限流电阻;
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常用于基准电压、过压保护、电平移动;
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常见型号:1N4728~1N4764、BZX55 系列、MMSZ 系列。
⑥ 变容二极管
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利用 PN 结反偏时结电容随反向电压变化的特性;
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反偏电压越大,结电容越小;
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用于压控振荡器、调谐电路、频率调制;
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常见型号:BB910、1SV149、MV209 等。
⑦ 发光二极管,即 LED
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正向导通时电子与空穴复合,释放能量,发出光子;
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发光颜色由半导体材料和掺杂决定;
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工作电压因颜色而异:
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红色:约 1.8~2.2 V
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绿色:约 2.0~3.0 V
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蓝色、白色:约 3.0~3.6 V
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需要串联限流电阻,防止电流过大;
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广泛用于指示、照明、显示、通信。
⑧ 光电二极管
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工作在反向偏置;
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光照会激发电子-空穴对,使反向电流增大;
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用于光检测、光通信、照度测量;
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常见型号:BPW34、SFH 系列。
⑨ 激光二极管
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结构类似发光二极管,但有光学谐振腔;
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发出相干光;
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用于光纤通信、激光笔、光驱、激光测距。
⑩ TVS 二极管,即瞬态电压抑制二极管
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专门用于吸收浪涌电压、静电放电等瞬态过压;
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响应速度极快,可达皮秒级;
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钳位电压低,保护后级电路;
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常用于 USB、HDMI、电源接口等;
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常见型号:SMBJ 系列、P6KE 系列、ESD 专用二极管。
⑪ 隧道二极管
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利用量子隧道效应,具有负阻特性;
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用于超高频振荡、微波放大;
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现在使用较少。
⑫ 恒流二极管
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在较宽电压范围内提供近似恒定电流;
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用于 LED 驱动、恒流源。
⑬ 气体放电二极管、真空二极管
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早期电子管时代的二极管;
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现在几乎被半导体二极管取代。
六、二极管的典型应用电路
1. 整流电路
半波整流
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一个二极管;
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只利用交流电的正半周或负半周;
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效率低,输出电压脉动大。
全波整流
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需要带中心抽头的变压器和两个二极管;
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正负半周都被利用。
桥式整流
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四个二极管组成整流桥;
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不需要中心抽头;
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是最常用的整流方式;
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集成整流桥有四个引脚:两个交流输入,一个正输出,一个负输出。
2. 续流二极管
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并联在继电器、电磁铁、电机等感性负载两端;
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当开关关断时,电感会产生反向感应电动势;
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续流二极管为电感电流提供回路,抑制高压尖峰;
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保护开关管或驱动电路;
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常用 1N4007、肖特基二极管。
3. 钳位电路
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将信号某一点的电平固定到指定值;
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例如 TVS 二极管将电压钳制在安全范围;
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也可用于波形平移。
4. 限幅电路
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两个反向并联的二极管可以将信号幅度限制在 ±0.7 V 左右;
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用于输入保护、波形整形。
5. 检波电路
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从调幅波中提取音频信号;
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使用点接触锗二极管或肖特基二极管;
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常见于收音机、通信接收机。
6. 稳压电路
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稳压二极管与限流电阻配合,提供简单稳压输出;
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输出电压等于稳压管稳压值;
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适合小电流、对精度要求不高的场合。
7. 防反接保护
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电源输入串联二极管;
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电源接反时二极管截止,保护后级电路;
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缺点是正向有压降,会损失功率;
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大电流场合可用 MOSFET 代替。
8. 逻辑门
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二极管与电阻可以组成简单的与门、或门;
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例如两个二极管组成与门,只有两个输入都为高电平时输出才为高;
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现在主要用于教学或简单逻辑。
9. 温度补偿
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二极管正向压降具有负温度系数,约 -2 mV/℃;
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可用于温度测量或温度补偿电路。
10. 倍压整流
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多个二极管和电容组成倍压电路;
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例如二倍压、三倍压;
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用于需要高压小电流的场合,如示波器高压、静电除尘。
七、二极管的正向压降与温度特性
正向压降
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硅管约 0.6~0.7 V;
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锗管约 0.2~0.3 V;
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肖特基约 0.2~0.5 V;
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发光二极管约 1.8~3.6 V,视颜色而定。
温度特性
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正向压降随温度升高而减小,温度系数约为 -1.5 mV/℃~-2.5 mV/℃;
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反向漏电流随温度升高而增大,温度每升高 10 ℃,漏电流约增大一倍;
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反向击穿电压随温度升高而增大,对稳压二极管而言,不同稳压值的温度系数不同。
八、二极管的封装与识别
常见封装形式
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DO-41:普通轴向引线封装,如 1N4007;
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DO-15、DO-201:较大功率轴向封装,如 1N5408;
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SMA、SMB、SMC:贴片封装,分别对应不同功率;
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SOD-123、SOD-323:小信号贴片二极管;
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TO-220、TO-247:大功率二极管或整流桥;
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DIP、SOP 整流桥:集成整流桥;
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LED 封装:3 mm、5 mm 直插,以及 0603、0805、3014、5050 等贴片。
引脚识别
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轴向二极管:带有色环的一端通常是阴极;
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贴片二极管:有横线或色带的一端通常是阴极;
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发光二极管:长脚为正极,短脚为负极;内部较大电极片通常是负极;
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可用万用表二极管挡测量,正向导通时显示约 0.5~0.7 V,表笔红接阳极,黑接阴极。
九、二极管的检测与好坏判断
使用数字万用表二极管挡
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红表笔接阳极,黑表笔接阴极:
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硅管显示 0.5~0.7 V;
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锗管显示 0.2~0.3 V;
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肖特基显示 0.2~0.5 V;
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表笔反过来:
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正常应显示“OL”或无穷大;
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若正反向都导通,说明短路;
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若正反向都截止,说明开路。
使用指针万用表
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注意指针万用表电阻挡的红黑表笔极性与数字万用表相反;
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黑表笔接阳极,红表笔接阴极时,二极管正向导通。
十、二极管选型要点
在实际电路设计中,选择二极管需要综合考虑:
工作电压:最高反向工作电压应高于电路可能出现的最大反向电压,并留有一定余量;
工作电流:最大整流电流应大于实际平均电流,脉冲电流也要考虑;
工作频率:高频电路应选择快恢复、超快恢复或肖特基二极管;
正向压降:低压大电流电路应选择正向压降低的肖特基二极管,以减小损耗;
反向恢复时间:开关电源、逆变器应选择快恢复或肖特基;
封装与散热:大功率场合需要良好散热,必要时加散热器;
成本与供货:在满足性能的前提下选择常见型号。
十一、常见故障与原因
1. 短路
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反向电压过高,发生击穿;
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浪涌电流过大,烧毁 PN 结;
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过热导致失效。
2. 开路
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长时间过流,内部引线熔断;
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机械应力导致引脚断裂;
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焊接过热损坏。
3. 漏电流增大
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高温工作环境;
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反向电压接近极限;
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元件老化。
4. 正向压降升高
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内部接触电阻增大;
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过热损伤。
十二、二极管的发展与新技术
二极管从早期的电子管、矿石检波器,发展到今天的半导体二极管,已经有上百年历史。
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1904 年:弗莱明发明真空二极管;
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20 世纪 40 年代:点接触锗二极管出现;
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20 世纪 50 年代:硅二极管成熟,性能大幅提升;
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20 世纪 60 年代:发光二极管问世;
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20 世纪 70 年代后:肖特基、快恢复、变容、激光二极管等不断出现;
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近年:碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体二极管在高频、高压、高温领域得到广泛应用。
现代二极管继续朝着 高频、大功率、低损耗、集成化、小型化 方向发展。
总结
二极管虽然结构简单,但种类繁多、应用广泛。它的核心是 PN 结的单向导电性,而不同的材料、结构和工艺又使其具有整流、稳压、发光、光电转换、高速开关、瞬态保护等多种功能。掌握二极管的伏安特性、主要参数和典型应用,是学习电子技术的基础,也是分析和设计电路的基本功。



